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发明公开
一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶及其制备方法无效

公开(公告)号：CN105002562A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510434137.2

申请日：2015-07-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 马永辉 , 牟刚 , 季秋骋 , 胡康康 , 高波 , 谢晓明

IPC: C30B29/52 , C30B9/06

Abstract: 本发明涉及一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶及其制备方法，所述单晶具有与ZrCuSiAs相同的四方的晶体结构，起始超导转变温度为21K。本发明的制备方法采用CaAs做自助熔剂，通过缓慢降温结晶的方法制得基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶，该方法得到的单晶具有1-2毫米的尺寸。

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