飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器

    公开(公告)号:CN110635021A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201910871389.X

    申请日:2019-09-16

    Abstract: 本发明提供一种飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器及其制备方法,飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器包括:二氧化硅衬底;光波导,位于二氧化硅衬底内,且光波导的一端面与二氧化硅衬底的一侧面相平齐,另一端面延伸至二氧化硅衬底的上表面;光波导基于飞秒激光直写工艺而形成;超导纳米线,位于二氧化硅衬底的上表面,且位于光波导延伸至二氧化硅衬底的上表面的端面上。本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器通过飞秒激光直写工艺形成于二氧化硅衬底内,制备工艺简单,器件集成度高;本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器中光波导的材料与光纤的材料相近,耦合效率较高。

    飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器

    公开(公告)号:CN110635021B

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN201910871389.X

    申请日:2019-09-16

    Abstract: 本发明提供一种飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器及其制备方法,飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器包括:二氧化硅衬底;光波导,位于二氧化硅衬底内,且光波导的一端面与二氧化硅衬底的一侧面相平齐,另一端面延伸至二氧化硅衬底的上表面;光波导基于飞秒激光直写工艺而形成;超导纳米线,位于二氧化硅衬底的上表面,且位于光波导延伸至二氧化硅衬底的上表面的端面上。本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器通过飞秒激光直写工艺形成于二氧化硅衬底内,制备工艺简单,器件集成度高;本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器中光波导的材料与光纤的材料相近,耦合效率较高。

    基于可编程光子芯片的NP完全问题实现方法

    公开(公告)号:CN117130428B

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202211536123.8

    申请日:2022-12-02

    Abstract: 一种基于可编程光子芯片的NP完全问题实现方法,将NP完全问题按照特定的规则映射到光子芯片上,光子作为信息载体注入芯片并在波导网络中并行演化以执行计算任务。通过发挥光子的高速传播和并行传播等特点,并结合集成光子技术的优势,基于光子芯片实现对不同NP完全问题的高速计算。本发明将NP完全问题按照特定的规则映射到光子芯片上,光子作为信息载体注入芯片并在波导网络中并行演化以执行计算任务。通过发挥光子的高速传播和并行传播等特点,并结合集成光子技术的优势,基于光子芯片实现对不同NP完全问题的高速计算。

    基于可编程光子芯片的NP完全问题实现方法

    公开(公告)号:CN117130428A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202211536123.8

    申请日:2022-12-02

    Abstract: 一种基于可编程光子芯片的NP完全问题实现方法,将NP完全问题按照特定的规则映射到光子芯片上,光子作为信息载体注入芯片并在波导网络中并行演化以执行计算任务。通过发挥光子的高速传播和并行传播等特点,并结合集成光子技术的优势,基于光子芯片实现对不同NP完全问题的高速计算。本发明将NP完全问题按照特定的规则映射到光子芯片上,光子作为信息载体注入芯片并在波导网络中并行演化以执行计算任务。通过发挥光子的高速传播和并行传播等特点,并结合集成光子技术的优势,基于光子芯片实现对不同NP完全问题的高速计算。

Patent Agency Ranking