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发明公开
一种基于逆向激光加热基座法快速生长稀土掺杂铝酸钇晶体的方法审中-实审

公开(公告)号：CN117166051A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311066971.1

申请日：2023-08-23

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 苏良碧 , 武旭 , 张振 , 张泽敏 , 张中晗 , 武安华 , 姜大朋

IPC分类号： C30B29/22 , C30B13/00

摘要： 本发明涉及一种基于逆向激光加热基座法快速生长稀土掺杂铝酸钇晶体的方法。所述方法包括：(1)将氧化钇粉体、氧化铝粉体、稀土氧化物粉体按比例混合，经冷等静压成型、烧结、滚圆后制得Re:YAP陶瓷料棒；(2)利用激光加热基座法进行单晶光纤的正向生长；(3)将步骤(2)正向生长后的单晶光纤作为源棒，进行Re:YAP晶体的逆向生长；(4)设置分段降温程序，使激光器功率程序降温至0W。