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公开(公告)号：CN85100510A
公开(公告)日：1986-08-13
申请号：CN85100510
申请日：1985-04-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/58
摘要： 本发明属于热压氮化硅陶瓷及制造方法，提供的材料具有在高温下断裂韧性增高的特性，适用于作为高温热机耐热部件及切削工具材料，其高温断裂韧性(1300℃以上)高于仅以稀土氧化物为添加剂的热压Si3N4和其他Si3N4陶瓷。本发明提供材料含有0.5～1％(重量)Y2O3、2-20％(重量)La2O3和0.01～10％(重量)Al2O3。
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公开(公告)号：CN1837142A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610025536.4
申请日：2006-04-07
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/44 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种镥铝石榴石基透明陶瓷及其制备方法，属于透明陶瓷领域。其特征在于透明陶瓷的组成为：Lu3－xRExAl5O12；0＜x≤0.15，RE为Ce，Pr，Eu，Nd，Sm，Gd，Yb，Ho，Tm，Dy和Er中的一种稀土离子，x＝0时为纯的镥铝石榴石；当x＞0.15时，由于稀土离子的浓度猝灭效应，使得透明陶瓷的相对发光强度降低。采用本发明所选择的原料及提供的工艺条件，可将上述材料制备成具有良好透光性的透明陶瓷。本发明提供的透明陶瓷具有高密度、快衰减、吸收射线能力强等特点，在闪烁辐射探测、上转换发光和激光材料等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN1269771C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200310109370.0
申请日：2003-12-12
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及的网眼多孔陶瓷的制备方法，特征在于基于模板法，通过两次离心挂浆制备网眼多孔陶瓷。第二次挂浆前不必对第一次挂浆所得的多孔体烧结，只需第二次挂浆中，经离心，除去多余浆料，制备出结构均匀的多孔体，进行排胶和高温烧结。采用本发明所提供的工艺方法，可以很容易地获得一种具有设计尺寸和形态的高强、轻质多孔陶瓷，其网孔尺寸为2～40PPI(孔/英寸)，气孔率在60～95%，制品形状可以是不规则的；可以生产各种材质的网眼多孔陶瓷包括：各种氧化物(氧化铝，氧化硅、氧化锆等)、非氧化物(氮化硅、碳化硅等)、其它无机非金属材料(堇青石、莫来石等)及复相材料(碳化硅/氧化铝、氧化铝/莫来石、氧化铝/氧化锆、莫来石/氧化锆等)。
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公开(公告)号：CN1330608C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200310109369.8
申请日：2003-12-12
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种用于多孔陶瓷制备的有机泡沫模板的处理方法，其特征在于首先，把有机泡沫体放入HCl溶液中浸泡，然后进行洗涤、干燥；然后，再放入NaOH溶液中浸泡，同时轻轻揉搓，然后进行洗涤、干燥；最后，放入溶胶中浸泡后，离心甩去多余的溶胶，使泡沫体表面覆盖一薄层溶胶，然后直接干燥即可制成用于模板法制备多孔陶瓷的有机模板。采用本发明工艺方法，可极大地增加有机泡沫表面的粗糙度，提高其与水基浆料的相容性，使浆料很容易润湿有机泡沫模板，使多孔陶瓷制备工艺中，挂浆量提高，挂浆更加均匀；从而进一步提高所制备的多孔陶瓷的强度和可靠性。本发明工艺中，可以处理的有机模板有聚氨酯泡沫体、聚乙烯泡沫体或纤维素泡沫等。
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公开(公告)号：CN1834288A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610025537.9
申请日：2006-04-07
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种采用化学气相沉积在低温下制备氮化硅(SiNx)薄膜的方法，属于半导体薄膜领域。其特点是以NH3为N源，以通式为(R1R2N)nSi(R3)4－n的有机硅源前驱体为Si源(其中R1，R2＝H，CH3，C2H5，C3H7，C4H9；R3＝H，Cl；n＝2，3，4)，在优化的工艺条件下，通过低压化学气相沉积工艺，可以在较低的反应温度下制备出均匀、低H和C含量、近化学计量的SiNx薄膜。本发明所制备的SiNx(X＝1.28－1.33)薄膜可用于半导体工业以及硅基太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1831457A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200510024331.X
申请日：2005-03-11
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种采用非氧化气氛、高温、连续烧结的方式生产非氧化物高性能陶瓷或其复合材料的连续烧结炉及其使用方法，属于陶瓷制品的生产工艺的技术领域。其特征在于将烧结炉体设计成三温区，即预烧结区(1)、高温烧结区(2)和低温过渡区(3)；在三个温区的两端分别设计安装进料室(4)和出料室(5)，进料室(4)和出料室(5)各自与真空系统(6)相连接，从而实现非氧化气氛连续烧结过程中的进料和出料，烧结产品的性能与传统的间歇式烧结相当，适合于非氧化物高性能陶瓷及其复合材料的连续化和规模化生产。与传统的间歇式烧结相比，具有明显减少能耗、提高生产效率、降低烧结成本的特点。
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公开(公告)号：CN1159265C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN01113058.X
申请日：2001-06-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/587 , C04B35/594
摘要： 本发明涉及一种提高氮化硅基陶瓷性能/价格比的方法，属于氮化硅陶瓷领域。其特点是以市售廉价耐火级Si3N4为原料，经不太复杂细化处理后再选择合适添加剂和烧结工艺，具有特殊的显微结构，使性能/价格比提高。本发明涉及的氮化硅基陶瓷包括氮化硅陶瓷、Sialon材料及氧氮化硅材料，适用于钢铁行业中风机贴片、反击板、筛网筛板等耐磨损、耐冲击部位。
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公开(公告)号：CN1403412A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02137247.0
申请日：2002-09-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/66 , C04B35/567 , C04B35/586 , C04B35/10 , C21C7/00
摘要： 本发明涉及一种精炼钢包狭缝式透气砖用耐火材料及制作方法，属炼钢用耐火材料领域。其特征在于所述耐火材料为β－Sialon结合的SiC，二者重量比为1∶1，β－Sialon通式为Si6－zAlzOzN6－z，z＝3～4；碳化硅为颗粒级配。制作方法特征是按β－Sialon分子式所需的化学配比，选择Si粉、氧化铝、氧化钇和氮化铝以及SiC颗粒级配，以一定比例混料，压制成型，Si粉氮化反应烧结成β－Si3N4，然后在Al2O3、Y2O3、AlN存在的条件下转化为β′－Sialon，制成赛隆结合的碳化硅耐火材料。用本发明提供的材料和制作方法制得透气砖使用寿命可达20－30炉，远远超过普通耐火材料。
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公开(公告)号：CN1398817A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02136705.1
申请日：2002-08-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/622 , C04B35/624
摘要： 本发明涉及一种用溶胶－凝胶和燃烧合成相结合的方法制备纳米钇铝石榴石基陶瓷粉体的方法。采用本发明所选择的原料及提供的工艺条件，可以在较低的温度下获得单相的纳米级纯YAG粉体或掺杂的YAG粉体。其通式为Y3－xMexAl5O12或Y3Al5－xMexO12，Me为稀土元素或过渡金属元素中的一种或两种，0.01≤x≤0.30.本发明的主要特征是采用金属硝酸盐和氧化物为原料，以柠檬酸为胶凝剂和燃料，通过溶胶－凝胶和燃烧过程获得前驱体。前驱体在800－1000℃的温度范围内煅烧，得到粒度在40－100nm之间的单相钇铝石榴石基陶瓷粉体。本发明的突出特点是工艺简单、快速，所制备的粉体活性较高，并可方便实现各种激活剂离子在离子水平上的均匀掺杂。
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公开(公告)号：CN101514100B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200910047340.9
申请日：2009-03-10
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C09K11/08 , C04B35/63 , C04B35/64
摘要： 本发明提供了一种石榴石结构的闪烁透明陶瓷及其制备方法。主要特征是石榴石结构的含氧酸盐为基质，结构式为3mR，3nR’:(A1-m-n-xA’x)3(ByC1-y)5O12，0≤m≤0.1，0≤n≤0.1，0≤x＜1，0≤y≤0.4；以Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Cr，Ti，Mn中的一种或组合做发光离子，该制品利用高纯原料(＞99.99％)，通过添加烧结助剂，高能球磨处理粉体，结合真空烧结，获得高光学质量闪烁透明陶瓷，在可见光区的透过率可达80％或以上，其受激发射峰，与光电探测器的敏感区域匹配。是一种在高能射线(电子，α和β粒子，X射线，γ射线等)探测领域有应用前景的闪烁材料。可应用于电子显微镜，计数器，射线成像屏等，具有工艺简单，生产成本低等优点。
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