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公开(公告)号：CN119263644A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310830288.4
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于抗事故SiC/SiC核燃料包壳管复合端口封装的封装剂。所述封装剂包括：组份为MgO、Al2O3、SiO2、ZrO2的玻璃粉、SiC粉体、SiC晶须、结合剂、溶剂；所述玻璃粉中MgO、Al2O3、SiO2、ZrO2的摩尔比为(15～40)：(10～25)：(35～50)：(5～10)；所述玻璃粉、SiC粉体、SiC晶须、结合剂、溶剂的体积比为(20～35)：(5～10)：(5～10)：(3～50)：(45～60)。
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公开(公告)号：CN119263868A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310830289.9
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种抗事故SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的多级强化连接方法。所述连接方法包括：(1)将SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的连接处打磨、抛光、超声清洗并干燥；(2)将SiC晶须、SiC粉体、陶瓷先驱体、催化剂、结合剂和溶剂充分混合，得到膏状封装剂；(3)将膏状封装剂均匀涂抹在SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的连接面处，置于化学气相沉积系统中依次进行连接层的陶瓷化与致密化，最终可得抗事故SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的多级强化连接层。
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公开(公告)号：CN119263859A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310830292.0
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海核工程研究设计院股份有限公司
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/622 , G21C3/07
Abstract: 本发明涉及一种耐辐照抗事故SiC/SiC核燃料包壳的制备方法。所述制备方法包括：(1)以从步骤(A)开始并结束于步骤(A)的方式交替进行下述步骤(A)和步骤(B)以得到具有至少两层PyC界面层和至少一层SiC纳米线界面层的管状SiC纤维预制体：(A)通过化学气相沉积工艺在管状SiC纤维预制体表面沉积PyC界面层；(B)通过真空浸渍将催化剂负载到PyC界面层上，再通过化学气相沉积工艺在PyC界面层表面原位生成SiC纳米线界面层；(2)采用化学气相渗透工艺对管状SiC纤维预制体进行致密化处理；(3)采用化学气相沉积工艺在管状SiC纤维预制体表面沉积SiC涂层，得到所述SiC/SiC核燃料包壳管。
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公开(公告)号：CN110204345A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910395305.X
申请日：2019-05-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种层状结构Cf/ZrB2-SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，该制备方法包括：（1）将ZrB2粉体、SiC粉体、分散剂和粘结剂加入溶剂中并混合，得到ZrB2-SiC浆料；（2）采用流延成型方法将所得ZrB2-SiC浆料制成ZrB2-SiC素坯；（3）将碳纤维编织体浸渍于所得ZrB2-SiC浆料中，得到碳纤维预制体；（4）将所得ZrB2-SiC素坯和碳纤维预制体交替叠层至少1次，再经排胶和烧结，得到所述层状结构Cf/ZrB2-SiC超高温陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN118308067A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310019992.1
申请日：2023-01-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有复合吸波机制的碳基宽频吸波材料及其制备方法。所述具有复合吸波机制的碳基宽频吸波材料的制备方法包括：将石墨烯、碳纳米管和聚二甲基硅氧烷PDMS主剂加入溶剂中得石墨烯/碳纳米管/PDMS悬浮液，将羟基铁和四氧化三铁粉末加入至悬浮液中并进行超声震荡，接着加入PDMS固化剂，得羟基铁‑四氧化三铁/石墨烯/碳纳米管/PDMS复合浆料；通过3D打印将羟基铁‑四氧化三铁/石墨烯/碳纳米管/PDMS复合浆料打印成立方结构并进行高温固化；采用化学气相沉积工艺在羟基铁‑四氧化三铁/石墨烯/碳纳米管/PDMS立方结构中原位生长SiC与Fe3Si，得到具有复合吸波机制的碳基宽频吸波材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116199519B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310057159.6
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/84 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及一种双BN界面层纤维增强陶瓷基复合材料及其制备方法。所述制备方法包括：采用低温或者高温化学气相沉积工艺在纤维预制体表面沉积第一层BN界面层并在沉积结束后对纤维预制体进行第一次热处理，或者仅采用高温化学气相沉积工艺在预先制备好的纤维预制体表面沉积第一层BN界面层，得到沉积第一层BN界面层的纤维预制体；采用化学气相沉积工艺在所述沉积第一层BN界面层的纤维预制体表面连续依次沉积第二层BN界面层和陶瓷基体，得到沉积双BN界面层和陶瓷基体的纤维预制体；对所述沉积双BN界面层和陶瓷基体的纤维预制体进行第二次热处理；致密化，得到所述双BN界面层纤维增强陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN115772037B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202111057806.0
申请日：2021-09-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种利用短切纤维构造熔渗预制体制备碳化硅陶瓷基复合材料的方法，包括：1）将短切纤维、碳化硅粉体、粘结剂和溶剂混合，得到碳化硅浆料；（2）将碳纤维布或碳化硅纤维布进入所得碳化硅浆料中，得到纤维浸浆片后，依次经烘干、裁剪、叠层、固化、热解，得到熔渗预制体；（3）将硅粉或硅合金粉置于熔渗预制体周围，再经反应烧结，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN116986907A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310924892.3
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高熵陶瓷粉体及其制备方法。所述制备方法包括：(1)将过渡金属碳化物粉体和Si粉配成混合料，进行球磨混合，得到待处理的混合粉体或混合粉体悬浊液；所述过渡金属碳化物粉体的总质量与Si粉的质量比为(5～30)：1；(2)将步骤(1)得到的待处理混合粉体或混合粉体悬浊液进行中间处理，得到待烧混合粉体；(3)将步骤(2)得到的待烧混合粉体在真空或惰性气氛下热处理，获得单相熵稳定碳化物陶瓷粉体；(4)将步骤(3)获得的单相熵稳定碳化物陶瓷粉体破碎、过筛，得到分散均匀、颗粒细小的熵稳定碳化物陶瓷粉体。
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公开(公告)号：CN115404465A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110578415.7
申请日：2021-05-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 一种连续纤维表面制备复合界面的设备，包括用于在纤维表面沉积界面的互相独立的多个主体、向主体供给反应气体的供气系统和排出主体中的反应尾气的排气系统；主体包括：内部设置有放卷装置和多个导向轮的放卷室；内部设置有收卷装置和多个导向轮的收卷室；以及连接放卷室和收卷室的沉积室；任意两个相邻的主体在放卷室之间和收卷室之间分别设置有通道和能开闭通道的多个阀门；通过调节多个阀门在设备中形成使连续纤维在多个主体中依次进行界面沉积的连续走丝通路或使多根连续纤维在多个主体中分别进行界面沉积的多个独立走丝通路。
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公开(公告)号：CN113480320A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110752247.9
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法包括：在碳化硅纤维预制体的纤维表面沉积界面层；在所述的覆有界面相的碳化硅纤维预制体中引入碳基体和氮化硅粉体，获得SiCf/C‑Si3N4熔渗体；将Al‑Si合金熔体在高温下熔渗到SiCf/C‑Si3N4熔渗体中，经高温原位反应生成AlN和SiC，得到高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料。
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