一种提高胼胝兜兰双花率和花期调控的方法

    公开(公告)号:CN113080000B

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202110378693.8

    申请日:2021-04-08

    IPC分类号: A01G22/63 A01G7/06 A01C21/00

    摘要: 本发明公开了一种提高胼胝兜兰双花率和花期调控的方法,包括以下步骤,开花前,在具有4‑5片叶的胼胝兜兰植株基部注射赤霉素溶液。本发明在提高栽培技术的基础上,采用赤霉素(GA3)注射方法,能大幅度地提高胼胝兜兰双花率,花期也提早1-2个月,并提高开花率和开花整齐度。国内外还没有采用注射赤霉素法进行兜兰花期调控的报道,本发明可填补国内外空白,对促进我国兜兰产业的发展具有积极的推动作用。技术切实可行,应用价值高。

    一种提高胼胝兜兰双花率和花期调控的方法

    公开(公告)号:CN113080000A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110378693.8

    申请日:2021-04-08

    IPC分类号: A01G22/63 A01G7/06 A01C21/00

    摘要: 本发明公开了一种提高胼胝兜兰双花率和花期调控的方法,包括以下步骤,开花前,在具有4‑5片叶的胼胝兜兰植株基部注射赤霉素溶液。本发明在提高栽培技术的基础上,采用赤霉素(GA3)注射方法,能大幅度地提高胼胝兜兰双花率,花期也提早1-2个月,并提高开花率和开花整齐度。国内外还没有采用注射赤霉素法进行兜兰花期调控的报道,本发明可填补国内外空白,对促进我国兜兰产业的发展具有积极的推动作用。技术切实可行,应用价值高。

    一种石蜡切片透蜡的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111948008A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010676271.4

    申请日:2020-07-14

    IPC分类号: G01N1/30 G01N1/31 G01N1/28

    摘要: 本发明公开了一种石蜡切片透蜡的方法。本发明利用恒温金属浴进行石蜡切片透蜡步骤,控温精准,升温速度快,稳定性高,能减少蜡块中出现气泡、裂隙等情况,有效提高透蜡成功率并简化操作步骤,制作的切片组织无明显切空切坏的地方,组织完整且细胞核清晰可见,效果好;同时可定制的金属模块能满足不同实验室对不同形状样品的制样需求,适应范围广;金属浴仪器操作简单,上手快,体积小巧可移动性强,安全可靠,应用前景广阔。