公开(公告)号：CN114552704A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210111800.5

申请日：2022-01-29

申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院

发明人： 陈春花 ,  肖丹 ,  韩运成 ,  陈思泽 ,  李桃生 ,  汪建业 ,  梅华平

IPC分类号： H02J7/00 ,  H02J7/34

摘要： 本发明公开一种用于同位素电池瞬时输出功率的增强方法，所述电池的外围辅助部件及电路包括：辅助电池组、快充电路、功率检测电路、功率分配电路和负载，所述方法包括以下步骤：1、辅助电池充电管理，当负载功率小于同位素电池设计输出功率时，辅助电池组不对外输出功率，由同位素电池负责给辅助电池组充电；2、辅助电池功率输出管理，当负载功率大于同位素电池设计输出功率时，充电回路完全切断，辅助电池组协助同位素电池补充输出功率。本发明采用电池组作为辅助功率源，再通过功率调节电路及模糊控制算法实现对辅助电池组充电功率和辅助输出功率的智能控制。在保障系统功耗的情况下，实现同位素电池能源利用的最大化，延长电池的使用寿命。

公开(公告)号：CN114371496A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111534622.9

申请日：2021-12-15

申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院

发明人： 肖丹 ,  陈思泽 ,  梅华平 ,  韩运成 ,  章勇 ,  张思纬 ,  张早娣 ,  李桃生

IPC分类号： G01T1/185 ,  G01T1/36

摘要： 本发明提供了一种固体材料中氚含量的测量方法，包括，S1：将被测对象置于平行电极板之间，改变电极板两端的电压参数，获取多组能谱数据；S2：计算在不同电场强度下，β射线诱发的X射线能谱数据；S3：建立多能谱组合反演模型，构建总射线能谱与不同深度的射线能谱在电场下的函数关系，基于不同电场强度下的反演模型，求解氚在不同深度的分布情况。本发明的优点在于：通过加高压的手段对测量谱进行增强，避免在测量过程中产生较大的误差，为后续的数据反演提供了保障，提高了反演计算的准确率。

公开(公告)号：CN117153540A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311106418.6

申请日：2023-08-30

申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院 ,  江阴华顺源电子科技有限公司

发明人： 章勇 ,  陈思泽 ,  肖丹 ,  张思纬 ,  张早娣 ,  郁杰 ,  汪建业 ,  李桃生 ,  严智渊 ,  苏君

IPC分类号： H01F27/32 ,  H01F27/40 ,  H01F27/34 ,  H01F38/16 ,  G01R19/00 ,  H02H9/04

摘要： 本发明提供一种隔离变压器和直流高压隔离变压系统，其中隔离变压器包括内置于壳体的隔离变压器单元和均压装置，在隔离变压器单元中，铁芯、第一绝缘体、初级绕组、第二绝缘体和次级绕组以从内周向外周去的方式依次设置，第二绝缘体包括以从内周向外周去的方式依次设置的n(2以上的整数)个子绝缘体，在各个子绝缘体之间以及最靠次级绕组一侧的子绝缘体的次级绕组一侧分别设置有均压屏蔽层，均压装置由n个均压电阻串联连接而成，各个均压屏蔽层分别连接至n个均压电阻各自的不同于彼此串联连接的一端的另一端，从而各均压屏蔽层的电位之间满足规定的比例关系。本发明的隔离变压器和直流高压隔离变压系统可靠性高且能够实现更高的隔离电压。

公开(公告)号：CN116434982A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310512144.4

申请日：2023-05-09

申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院

发明人： 梅华平 ,  肖丹 ,  王海霞 ,  韩运成 ,  陈思泽 ,  余大利 ,  李桃生 ,  郁杰

IPC分类号： G21C3/04 ,  G21C3/12 ,  G21C3/62 ,  G21C3/20

摘要： 本发明涉及一种微型铅基反应堆燃料组件。该燃料组件包括：燃料棒，包括包壳以及依次设置在包壳内的滤芯部件、压紧弹簧、第一反射层、燃料柱和第二反射层；操作头，设置在燃料棒具有第一反射层上端塞的一端，用于燃料棒的顶端定位以及将燃料棒内的裂变气体汇集导出；冷却剂入口，设置在燃料棒具有第二反射层的一端，用于向燃料组件中通入冷却剂并对冷却剂的流量进行调节。该燃料组件能够解决现有技术中的不足，通过合理的结构设计和材料选择，在满足反应堆安全性要求的同时，能够实现堆芯体积的小型化和重量轻量化。

公开(公告)号：CN114397691A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202210039384.2

申请日：2022-01-13

申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院

发明人： 陈思泽 ,  张锐 ,  肖丹 ,  陈炼 ,  李桃生

IPC分类号： G01T1/18 ,  G01T1/24

摘要： 本发明涉及一种用于聚变中子发生器伴随粒子成像的高计数率α粒子探测方法能够有效提高聚变中子源伴随粒子成像系统的测量计数率和定时精度。该方法包括：通过设置半导体探测器的阻挡层、探测灵敏区厚度及减薄电极与衬底厚度和等措施，减小氘氚中子源内的干扰粒子在探测器灵敏区内的能量沉积，提高伴随α粒子在探测器灵敏区内沉积能量的比例，使得探测器输出电流脉冲信号幅度与粒子沉积能量成正比；采用电流灵敏放大器对探测器输出的脉冲信号进行放大和降噪，输出与探测器电流信号成正比的窄宽度电压信号；采用前沿定时甄别器对放大电压信号的脉冲前沿进行定时，设置合理的触发阈值剔除干扰粒子信号，仅获得伴随α粒子定时信号。

公开(公告)号：CN114460621A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210228744.3

申请日：2022-03-08

申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院

发明人： 肖丹 ,  陈思泽 ,  章勇 ,  李桃生

IPC分类号： G01T1/29

摘要： 本发明提供一种非拦截式直流束流位置及束斑形状测量方法及系统包括：在测量探头中的每一正对的两块偏转极板间施加预设幅值的电压，以使两块所述偏转极板之间产生电场；以所述电场使得束流打到电流探针上，据以探测电流变化；对偏转极板电压进行归零，对所述偏转极板进行电压调整直至电流探针上检测到电流，记录此时的电压幅值，对每组所述偏转极板循环前述操作直至结束测量；以预设逻辑处理所述电压幅值，据以获取偏移位移，以得到所述束流位置及所述束斑形状。本发明解决了结构复杂，易受干扰，使用成本高、易损坏烧蚀及测量对象单一的技术问题。