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公开(公告)号：CN110683532A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201810724388.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法。所述方法包括：提供CVD石墨烯薄膜，将所述CVD石墨烯薄膜置于沉积设备的反应腔中，向所述反应腔中通入低表面能物质，于100～200℃下，使所述低表面能物质在所述CVD石墨烯薄膜表面发生物理和化学吸附反应，从而在所述CVD石墨烯薄膜表面沉积具有纳米团簇且分布均匀的低表面能分子膜，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜。本发明的方法操作简单，能显著提高石墨烯薄膜的防腐蚀性能，为石墨烯薄膜的长效防护性能提供技术支撑；同时，本发明可显著改善CVD石墨烯薄膜的润湿性能，从而极大的提高了石墨烯/低表面能物质复合膜层对金属基体的保护效果。
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公开(公告)号：CN110684957A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201810724372.7
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种修补CVD石墨烯薄膜缺陷的方法。所述方法包括：采用CVD法生长CVD石墨烯薄膜，将所述CVD石墨烯薄膜置于液相反应体系中，并向其中加入修补物质，于50～120℃下，使所述修补物质在所述CVD石墨烯薄膜的缺陷位置进行化学吸附和物理吸附反应，从而在所述CVD石墨烯薄膜缺陷位置首先沉积形成纳米颗粒的修补物质膜层，获得CVD石墨烯/修补物质复合薄膜。本发明通过分子自组装技术在石墨烯缺陷位置暴露的金属基底表面化学吸附修补物质并在石墨烯表面物理吸附生长成膜，可以有效的对CVD石墨烯薄膜的缺陷进行修补，同时，该方法操作简单，可以为石墨烯薄膜的高效防腐蚀性能提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN110683532B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201810724388.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法。所述方法包括：提供CVD石墨烯薄膜，将所述CVD石墨烯薄膜置于沉积设备的反应腔中，向所述反应腔中通入低表面能物质，于100～200℃下，使所述低表面能物质在所述CVD石墨烯薄膜表面发生物理和化学吸附反应，从而在所述CVD石墨烯薄膜表面沉积具有纳米团簇且分布均匀的低表面能分子膜，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜。本发明的方法操作简单，能显著提高石墨烯薄膜的防腐蚀性能，为石墨烯薄膜的长效防护性能提供技术支撑；同时，本发明可显著改善CVD石墨烯薄膜的润湿性能，从而极大的提高了石墨烯/低表面能物质复合膜层对金属基体的保护效果。
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