公开(公告)号：CN111455462A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010182996.8

申请日：2020-03-16

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 吴炯桦 ,  孟庆波 ,  余炳成 ,  石将建

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B7/08

摘要： 本发明提供了一种CsPbCl3单晶的制备方法，包括：分别配制第一温度下的PbCl2的水溶液和CsCl的水溶液，第一温度大于室温；将PbCl2的水溶液与CsCl的水溶液混合得到生长溶液，其中，PbCl2与CsCl的摩尔比小于或等于1:6；将预处理后的表面平整的衬底插入生长溶液中，按照预设降温程序对生长溶液进行降温，以在衬底表面上生长CsPbCl3单晶。本发明的方案通过在高于室温的第一温度下进行原料水溶液配制，得到足够浓度的PbCl2的水溶液，以保证单晶生长的顺利进行。同时，通过控制PbCl2与CsCl的摩尔比以及晶体生长过程中的降温流程，能够直接在衬底上生长得到适当尺寸的PbCl3单晶。本发明的制备方法实现了以水作为溶剂，简单环保，成本低廉。

公开(公告)号：CN117956877A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410029061.4

申请日：2024-01-09

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 孟庆波 ,  李冬梅 ,  黄纯杰 ,  谭善 ,  余炳成 ,  罗艳红 ,  石将建 ,  李一明 ,  吴会觉

IPC分类号： H10K71/12 ,  H10K85/50 ,  H10K30/50 ,  H10K30/30

摘要： 本发明提供一种用于制备大面积钙钛矿薄膜的方法，其包括以下步骤：(1)配制钙钛矿前驱体溶液；(2)采用弯月面调控的涂布法，通过在涂布过程中使气刀方向吹向刮刀的前弯月面而调节溶剂的挥发速度，将所述钙钛矿前驱体溶液涂布于基底上，以制备大面积钙钛矿薄膜。本发明还提供一种大面积钙钛矿薄膜、由本发明的方法制得的大面积钙钛矿薄膜在钙钛矿太阳能电池中的应用以及一种钙钛矿太阳能电池。本发明的大面积钙钛矿薄膜在提升钙钛矿薄膜的面积时，并没有降低和牺牲电池转换效率。本发明的钙钛矿太阳能电池适合大规模生产，其具有大尺寸并且具备高转换效率与高稳定性。

公开(公告)号：CN111455462B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202010182996.8

申请日：2020-03-16

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 吴炯桦 ,  孟庆波 ,  余炳成 ,  石将建

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B7/08

摘要： 本发明提供了一种CsPbCl3单晶的制备方法，包括：分别配制第一温度下的PbCl2的水溶液和CsCl的水溶液，第一温度大于室温；将PbCl2的水溶液与CsCl的水溶液混合得到生长溶液，其中，PbCl2与CsCl的摩尔比小于或等于1:6；将预处理后的表面平整的衬底插入生长溶液中，按照预设降温程序对生长溶液进行降温，以在衬底表面上生长CsPbCl3单晶。本发明的方案通过在高于室温的第一温度下进行原料水溶液配制，得到足够浓度的PbCl2的水溶液，以保证单晶生长的顺利进行。同时，通过控制PbCl2与CsCl的摩尔比以及晶体生长过程中的降温流程，能够直接在衬底上生长得到适当尺寸的PbCl3单晶。本发明的制备方法实现了以水作为溶剂，简单环保，成本低廉。