大能量光参量振荡器以及中远红外光参量振荡器

    公开(公告)号:CN119787078A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411754257.6

    申请日:2024-12-02

    Abstract: 本发明实施例提供一种大能量光参量振荡器特别是中远红外光参量振荡器。该大能量光参量振荡器,包括:沿光路依次设置的泵浦光发射模块、变频模块、光谱合束模块和输出耦合镜;其中,泵浦光发射模块,用于向变频模块发射多束预设波长的泵浦光;变频模块,包括多个光参量变频模块,光参量变频模块用于将接收的泵浦光转换为参量光;光谱合束模块,用于对变频模块产生的多束参量光进行光谱合束形成合束光,将合束光传输至输出耦合镜;输出耦合镜,用于将一部分合束光原路反射回各光参量变频模块形成反馈振荡,将另一部分合束光输出。该大能量光参量振荡器实现了利用简单的光学器件组合输出高光束质量的大能量参量光。

    光泵浦VCSEL外腔光谱合成的激光器装置

    公开(公告)号:CN117878716A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311751785.1

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 本发明涉及半导体激光装置技术领域,提供一种光泵浦VCSEL外腔光谱合成的激光器装置,光泵浦VCSEL外腔光谱合成的激光器装置,包括:VCSEL;小孔阵列结构,设置于VCSEL的出光方向;小孔阵列结构用于对外腔中各子单元激光的光束尺寸进行限制,起到滤波和优化光束质量的作用;聚焦元件,用于聚焦多个子单元激光;衍射元件用于为多个子单元激光进行衍射,形成衍射光;输出耦合镜,用于对衍射光提供部分反馈及输出;光泵浦元件,用于为VCSEL提供泵浦光。本发明通过外腔光谱合成结构实现多个子单元激光的合束,将VCSEL的高光束质量与光谱合束结合起来,可在光束质量不变的基础上实现更高的输出功率。

    厄米-高斯激光束产生装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116247496A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202111486202.8

    申请日:2021-12-07

    Abstract: 本申请公开了一种厄米‑高斯激光束产生装置,特别是一种高纯度的一维厄米‑高斯激光束产生装置,包括:激光增益模块,谐振腔的腔镜元件,激光腔内模式选择元件和激光模式探测模块。激光增益模块用于实现稳定的激光增益;谐振腔的腔镜选取适合的输出耦合率以配合激光增益模块实现高效的激光输出;激光腔内模式选择元件沿两个方向对激光谐振腔内的横向模式进行选择;激光模式探测模块用于观察输出光斑包络,并根据观察结果调节谐振腔腔镜的角度以引入谐振腔的失谐量,同时调整激光模式选择元件的位置,实现对不同阶数腔内模式的损耗的差异化控制,保证了不同阶数一维高阶厄米‑高斯激光束的高纯度输出。

    基于小角度快摆反射元件的脉冲激光产生装置及方法

    公开(公告)号:CN114583543A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210207811.3

    申请日:2022-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种基于小角度快摆反射元件的脉冲激光产生装置及方法,装置包括电源模块、信号发生与控制模块、激光谐振腔、激光增益模块、小角度快摆反射元件、偏转角度放大元件和激光角度选择元件。电源模块与信号发生与控制模块和激光增益模块电连接,小角度快摆反射元件与信号发生与控制模块电连接;激光增益模块、小角度快摆反射元件、偏转角度放大元件和角度选择元件依次置于激光谐振腔内,小角度快摆反射元件的反射面与偏转角度放大元件的反射面相对放置,光的偏转角度在通过这两个反射元件的过程中逐步放大,产生显著的角度偏移量。本发明结构简单,且对激光模场的尺寸限制大幅放宽,易获得脉宽为纳秒至微秒的高峰值功率激光脉冲输出。

    一种离轴泵浦的激光增益模块

    公开(公告)号:CN114583538A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210207889.5

    申请日:2022-03-04

    Abstract: 本公开涉及一种离轴泵浦的激光增益模块,包括:棒状增益介质,其具有中心对称轴,光学导管,泵浦半导体线阵,所述泵浦半导体线阵发光面的中心引出的发光面法线的光轴与中心对称射线之间存在预设离轴量(δD),所述中心对称射线经过所述增益介质的轴心,所述预设离轴量δD用于调节泵浦半导体线阵与对所述棒状激光增益介质进行离轴泵浦,以使棒状激光增益介质中的激光增益分布更为均匀。本公开的一种离轴泵浦的激光增益模块及装置可有效改善由于泵浦光空间分布过于集中导致的增益分布不均,进而带来的提取不均匀的问题,可提高激光增益模块的本征光束质量。

    一种半导体芯片及半导体激光器

    公开(公告)号:CN111181000B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202010071370.X

    申请日:2020-01-21

    Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片及半导体激光器,该半导体芯片,用于设置在半导体激光器中,包括:至少一个增益区;每个所述增益区的上表面和下表面分别镀有电极;至少设置有一个所述电极的形状与激光在所述增益区内谐振的光路相匹配。一方面,本发明实施方式提供的半导体芯片,设置电极的形状与激光在增益区内谐振的光路匹配,可以实现增益区与外腔激光模式的高效交叠,另一方面,结构上可实现外腔增益长度远大于内腔增益长度和自发辐射放大(ASE)最大宽度,同时还可以配合镀膜技术,提高内腔激光阈值,从而抑制内腔激光和ASE,实现高效的高光束质量的外腔半导体激光输出。同时,无需刻蚀脊条,能降低成本且避免由此带来的芯片对外腔激光的调制效应。

    一种半导体激光器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109193342A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201811197771.9

    申请日:2018-10-15

    Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器,包括一个或多个半导体芯片(1-1),每个所述半导体芯片(1-1)的发光单元(1-11)的增益区(1-11A)的沿慢轴方向的长度为1mm~10cm;激光谐振腔,用于调整所述发光单元(1-11)发射出的半导体激光使其在慢轴方向形成谐振,使所述发光单元(1-11)的增益区(1-11A)在慢轴方向的尺寸与基模光斑半径ω0相匹配;快轴准直元件(FAC),设置在所述激光谐振腔内,用于对所述发光单元(1-11)发射的激光在快轴方向准直。本发明实施方式提供的半导体激光器,一方面能够提高增益区高功率的输出能力,另一方面又改善了光束质量,可实现M2

    激光器的使用方法、脉宽可调的激光器及其使用方法

    公开(公告)号:CN108963746A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201710373575.1

    申请日:2017-05-24

    Abstract: 本发明涉及激光器技术领域,提供了一种激光器的使用方法、脉宽可调的激光器及其使用方法。该脉宽可调的激光器包括第一反射单元、偏振分光单元、沿偏振分光单元相对第一反射单元的入射光路的方向依次设置的第一反射单元和激光增益介质以及沿偏振分光单元相对第一反射单元的透射光路或反射光路的方向依次设置的1/4波片、第一Q开关、第二Q开关和第二反射单元,1/4波片是活动的、能够移出或插入光路中,第一驱动单元与第一Q开关电连接,第二驱动单元与第二Q开关电连接。该方法通过第一Q开关和第二Q开关相互配合,实现了快速灵活的调节激光脉宽。

    基于激光非线性变频的时序合束装置

    公开(公告)号:CN119209189A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202310768271.0

    申请日:2023-06-27

    Abstract: 本申请公开一种基于激光非线性变频的时序合束装置。激光合束装置包括N个光路,N≥2,第1光路包括第一非线性变频模块,用于将基频脉冲激光变频为第1变频激光束;每一第n光路,包括沿光路依次设置的第一双色合束镜和第一非线性变频模块,所述第一双色合束镜用于将该光路入射基频脉冲激光与来自第n‑1光路的第n‑1变频激光束共轴合束,所述第一非线性变频模块将共轴合束中基频脉冲激光变频并透过其中第n‑1变频激光束得到重复频率为nf的第n变频激光束,2≤n≤N,其中,N束基频脉冲激光具有相同的重复频率f且脉冲序列在时间上不交叠,所述激光合束装置输出重复频率为Nf且波长小于基频脉冲激光束波长的合束变频激光束。

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