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公开(公告)号:CN118294728A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410423015.2
申请日:2024-04-09
申请人: 中国科学院电工研究所 , 国网上海市电力公司
摘要: 本发明公开了一种半导体杂散电感测试电路及控制方法,测试电路由直流电源Vdc、支撑电容Cdc、辅助开关管QU、辅助二极管DL、负载电感Lload和单管型被测器件DUT‑s组成;本发明通过将被测件的控制电极施加恒定正电压,使其始终保持正向导通状态,再通过串联一个辅助二极管阻断了被测件内部的反向通流路径,从而使电流从被测件的正向流通,实现了对被测件正向回路内部杂散电感的测量,克服了现有技术只能测量反向回路杂散电感的不足,可以给IGBT芯片或MOSFET芯片的瞬态过程分析,提供更精确的杂感测量数据。