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    一种相变材料
    1.
    发明公开
    一种相变材料 有权

    公开(公告)号：CN103059814A

    公开(公告)日：2013-04-24

    申请号：CN201110325485.8

    申请日：2011-10-21

    申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

    发明人： 罗军华 ,  孙志华 ,  陈天亮 ,  洪茂椿

    IPC分类号： C09K5/02 ,  C07D213/53 ,  C07C309/06 ,  C07C303/32

    摘要： 本发明提供一种相变材料4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶三氟磺酸盐。该材料在320K温度附近发生可逆相变，相变过程中的潜热大于2000J/mol。该化合物化学式为C17H19N2O3F3S，室温下属于单斜晶系，其空间群为P21/c，在高于320K的温度范围内空间群亦为P21/c，但晶胞参数发生明显变化。材料的相变过程可逆，能够多次循环使用，在蓄能器件、节能系统等方面具有潜在的应用价值；此外，相变过程中材料的介电性质发生“阶梯型”变化，可以作为可控介电电容、可控介电光栅等领域的候选材料。

    一种介电晶体二水合硼酸扁桃酸钠盐及其制备方法和用途
    2.
    发明公开
    一种介电晶体二水合硼酸扁桃酸钠盐及其制备方法和用途 有权

    公开(公告)号：CN102560651A

    公开(公告)日：2012-07-11

    申请号：CN201110262168.6

    申请日：2011-09-06

    申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

    发明人： 孙志华 ,  罗军华 ,  金成国 ,  陈天亮 ,  洪茂椿

    IPC分类号： C30B29/20 ,  C30B7/08

    摘要： 本发明涉及一种有机/无机复合的新型功能晶体二水合硼酸扁桃酸钠盐及其制备方法和用途。该材料的化学式为C32H28Na2B2O14，其空间群为C2(No.5)，晶胞参数为a＝16.404(5)b＝8.524(5)c＝24.609(5)α＝90.00°，β＝105.46°，γ＝90.00°，Z＝4，单胞体积V＝3316(2)其制备过程为：将硼酸、氢氧化钠和扁桃酸按1∶1∶2的摩尔比在水中进行反应，制成饱和溶液后，采用溶液降温法制备体块单晶。该晶体沿不同晶轴方向均具有低的介电常数、较小的介电损耗，同时具备良好的热稳定性和可加工性，在电学共振器、电容器、过滤器以及声表面波和集成光电器件等固态器件方面有着潜在的应用价值。本发明易于操作，原料简单，无需复杂的生产设备，制造成本低，能耗少，适用于批量生产。

    一种相变材料
    4.
    发明授权
    一种相变材料 有权

    公开(公告)号：CN103059814B

    公开(公告)日：2016-12-14

    申请号：CN201110325485.8

    申请日：2011-10-21

    申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

    发明人： 罗军华 ,  孙志华 ,  陈天亮 ,  洪茂椿

    IPC分类号： C07D213/53 ,  C07C309/06 ,  C07C303/32 ,  C09K5/02

    摘要： 本发明提供一种相变材料4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶三氟磺酸盐。该材料在320K温度附近发生可逆相变，相变过程中的潜热大于2000J/mol。该化合物化学式为C17H19N2O3F3S，室温下属于单斜晶系，其空间群为P21/c，在高于320K的温度范围内空间群亦为P21/c，但晶胞参数发生明显变化。材料的相变过程可逆，能够多次循环使用，在蓄能器件、节能系统等方面具有潜在的应用价值；此外，相变过程中材料的介电性质发生“阶梯型”变化，可以作为可控介电电容、可控介电光栅等领域的候选材料。

    非线性光学晶体2‑[(E)‑2‑(3‑甲氧苯基‑4‑羟基)乙烯基]‑1‑甲基喹啉4‑氯苯磺酸盐
    6.
    发明授权
    非线性光学晶体2‑[(E)‑2‑(3‑甲氧苯基‑4‑羟基)乙烯基]‑1‑甲基喹啉4‑氯苯磺酸盐 有权

    公开(公告)号：CN104389022B

    公开(公告)日：2017-10-03

    申请号：CN201410589302.7

    申请日：2014-10-28

    申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

    发明人： 罗军华 ,  孙志华 ,  陈天亮

    IPC分类号： C30B29/54 ,  G02F1/355

    摘要： 本发明涉及非线性光学晶体2‑[(E)‑2‑(3‑甲氧苯基‑4‑羟基)乙烯基]‑1‑甲基喹啉4‑氯苯磺酸盐的制备、同质异晶及其作为倍频材料和非线性吸收材料的应用，属于功能材料领域；其分子式为C25H22NO5SCl，单斜晶系，具有两种不同的构型：晶型I结晶在P21/n中心对称空间群，晶型II属于Pc非中心对称空间群；材料具有良好的三阶非线性光学性能，表现为明显的饱和吸收效应；构型II晶体的倍频强度约为0.6倍DAST晶体(DAST为4‑(4‑二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶4‑甲基苯磺酸盐)，作为光学倍频器件的候选材料具有潜在实施价值。

    一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长过程中出现杂晶的方法
    7.
    发明授权
    一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长过程中出现杂晶的方法 有权

    公开(公告)号：CN102560678B

    公开(公告)日：2016-09-14

    申请号：CN201110350938.2

    申请日：2011-11-08

    申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

    发明人： 罗军华 ,  孙志华 ,  陈天亮 ,  洪茂椿

    IPC分类号： C30B29/54

    摘要： 本发明涉及一种抑制4‑(4‑二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)晶体生长过程中出现杂晶的方法，属于晶体生长领域。在生长DAST晶体的过程中，向生长溶液内添加比表面积为200~1000 m2/g的颗粒状或柱状活性炭作为吸附剂。活性炭颗粒的加入可以拓宽DAST晶体生长溶液的亚稳相区间，减少微晶的聚集趋势，提高生长溶液的稳定性。本发明所采用的方法比较简单，便于操作，可以有效抑制或延缓DAST晶体生长溶液中出现杂晶，起到调节晶体生长速率、改善晶体生长习性的作用；而且能够在生长过程中降低晶体内部的缺陷，容易获得具有高光学质量的DAST晶体。

    一种介电晶体二水合硼酸扁桃酸钠盐及其制备方法和用途
    10.
    发明授权
    一种介电晶体二水合硼酸扁桃酸钠盐及其制备方法和用途 有权

    公开(公告)号：CN102560651B

    公开(公告)日：2016-06-29

    申请号：CN201110262168.6

    申请日：2011-09-06

    申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

    发明人： 孙志华 ,  罗军华 ,  金成国 ,  陈天亮 ,  洪茂椿

    IPC分类号： C07C57/32 ,  C30B7/08

    摘要： 本发明涉及一种有机/无机复合的新型功能晶体二水合硼酸扁桃酸钠盐及其制备方法和用途。该材料的化学式为C32H28Na2B2O14，其空间群为C2(No.5)，晶胞参数为a＝16.404(5)b＝8.524(5)c＝24.609(5)α＝90.00°，β＝105.46°，γ＝90.00°，Z＝4，单胞体积V＝3316(2)其制备过程为：将硼酸、氢氧化钠和扁桃酸按1∶1∶2的摩尔比在水中进行反应，制成饱和溶液后，采用溶液降温法制备体块单晶。该晶体沿不同晶轴方向均具有低的介电常数、较小的介电损耗，同时具备良好的热稳定性和可加工性，在电学共振器、电容器、过滤器以及声表面波和集成光电器件等固态器件方面有着潜在的应用价值。本发明易于操作，原料简单，无需复杂的生产设备，制造成本低，能耗少，适用于批量生产。