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公开(公告)号：CN105460885A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410455125.3
申请日：2014-09-09
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种仿生壁虎脚刚毛阵列的制作方法，其可以包括：选择上层为（100）型硅，下层具有自腐蚀停止层的材料作为衬底；在上硅层表面沉积抗腐蚀层并对其图形化形成抗腐蚀掩膜；利用硅各向异性腐蚀方法将暴露的硅结构腐蚀成横截面为梯形的长条；去除剩余的抗腐蚀掩膜，露出硅结构；用喷胶工艺或厚胶旋涂的方法在硅结构上涂覆光刻胶并光刻；采用金属或者其他材料沉积刚毛结构，剥离去掉残余的光刻胶；最后采用硅的各向同性刻蚀释放牺牲层硅，形成仿生壁虎脚刚毛结构阵列。本发明工艺简单，成品率高，适合大批量制造，所制备的仿生壁虎脚刚毛阵列具有工作寿命长，结构强度大等优点，在壁虎足部形态仿生学等领域具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN105460885B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410455125.3
申请日：2014-09-09
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种仿生壁虎脚刚毛阵列的制作方法，其可以包括：选择上层为（100）型硅，下层具有自腐蚀停止层的材料作为衬底；在上硅层表面沉积抗腐蚀层并对其图形化形成抗腐蚀掩膜；利用硅各向异性腐蚀方法将暴露的硅结构腐蚀成横截面为梯形的长条；去除剩余的抗腐蚀掩膜，露出硅结构；用喷胶工艺或厚胶旋涂的方法在硅结构上涂覆光刻胶并光刻；采用金属或者其他材料沉积刚毛结构，剥离去掉残余的光刻胶；最后采用硅的各向同性刻蚀释放牺牲层硅，形成仿生壁虎脚刚毛结构阵列。本发明工艺简单，成品率高，适合大批量制造，所制备的仿生壁虎脚刚毛阵列具有工作寿命长，结构强度大等优点，在壁虎足部形态仿生学等领域具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN105366631B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201410421996.3
申请日：2014-08-25
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开一种楔形硅结构阵列的制作方法，包括步骤：A)在衬底上键合形成预定厚度的硅层；B)在所述预定厚度的硅层上形成多个掩膜条；C)将所述硅层的未被所述掩膜条覆盖的部分去除，其中，所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分的截面形状为梯形形状；D)将所述掩膜条去除，以将所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分暴露；E)在步骤D)中暴露的所述硅层的侧斜壁上涂布多个光刻胶；F)将步骤E)中未被所述光刻胶覆盖的硅层去除；G)将步骤E)中涂布的所述光刻胶去除，从而形成阵列排布的楔形硅结构。本发明的楔形硅结构阵列的制作方法，工艺简单，成品率高，适合大批量制造的特点，并且所制备的楔形硅结构强度高，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN105217565B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410253151.8
申请日：2014-06-09
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC分类号： B81C1/00111 , A61M2037/0053 , B81B2201/055
摘要： 本发明公开了一种单晶硅异平面空心微针结构的制作方法，在一典型实施案例中，该方法可以包括：先在（100）型硅片正面用深硅干法刻蚀方法制作非贯通的孔状槽；用热氧化方法在硅片正反面以及孔内壁形成厚氧化层；在硅片正面和背面用涂胶光刻方法分别形成腐蚀窗口图形；用干法或湿法腐蚀方法将窗口内的氧化硅去除，露出衬底硅；去除光刻胶后用单晶硅各向异性腐蚀液对硅片进行腐蚀，在上表面形成微针结构，下表面形成槽形结构，并且先前刻蚀形成的深孔贯穿硅片正面微针结构，底部与硅片背面的槽形结构相连。本发明工艺简单，成本低廉，成品率高，适合大批量制造，且所获微针具有结构强度大、一致性好，载药剂量大等优点，在生物医学领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN105366631A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410421996.3
申请日：2014-08-25
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开一种楔形硅结构阵列的制作方法，包括步骤：A)在衬底上键合形成预定厚度的硅层；B)在所述预定厚度的硅层上形成多个掩膜条；C)将所述硅层的未被所述掩膜条覆盖的部分去除，其中，所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分的截面形状为梯形形状；D)将所述掩膜条去除，以将所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分暴露；E)在步骤D)中暴露的所述硅层的侧斜壁上涂布多个光刻胶；F)将步骤E)中未被所述光刻胶覆盖的硅层去除；G)将步骤E)中涂布的所述光刻胶去除，从而形成阵列排布的楔形硅结构。本发明的楔形硅结构阵列的制作方法，工艺简单，成品率高，适合大批量制造的特点，并且所制备的楔形硅结构强度高，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN105217565A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410253151.8
申请日：2014-06-09
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC分类号： B81C1/00111 , A61M2037/0053 , B81B2201/055
摘要： 本发明公开了一种单晶硅异平面空心微针结构的制作方法，在一典型实施案例中，该方法可以包括：先在（100）型硅片正面用深硅干法刻蚀方法制作非贯通的孔状槽；用热氧化方法在硅片正反面以及孔内壁形成厚氧化层；在硅片正面和背面用涂胶光刻方法分别形成腐蚀窗口图形；用干法或湿法腐蚀方法将窗口内的氧化硅去除，露出衬底硅；去除光刻胶后用单晶硅各向异性腐蚀液对硅片进行腐蚀，在上表面形成微针结构，下表面形成槽形结构，并且先前刻蚀形成的深孔贯穿硅片正面微针结构，底部与硅片背面的槽形结构相连。本发明工艺简单，成本低廉，成品率高，适合大批量制造，且所获微针具有结构强度大、一致性好，载药剂量大等优点，在生物医学领域具有应用前景。
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