公开(公告)号：CN105624679A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410613863.6

申请日：2014-11-04

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 董艳 ,  王逸群 ,  王洋洋 ,  冯海通

IPC分类号： C23F1/34

摘要： 本发明公开了一种铜蚀刻液及其制备方法，所述铜蚀刻液是含有质量浓度10g/L～15g/L的亚氯酸钠、质量浓度50g/L～70g/L的碳酸氢铵和体积浓度10mL/L～60mL/L的氨水的水溶液；该铜蚀刻液的制备方法包括步骤：A、在蚀刻液槽中加入预定量的水；B、向其中加入预定量的亚氯酸钠和碳酸氢铵，并充分溶解；及C、向步骤B得到的溶液中加入预定量的氨水，混合均匀得到所述铜蚀刻液。本发明还公开了该铜蚀刻液蚀刻铜的方法及其在半导体和微机电系统的制造及封装中的应用，该铜蚀刻液蚀刻铜的方法为将蚀刻对象物与所述铜蚀刻液接触。所述铜蚀刻液克服了干法蚀刻及其他蚀刻液蚀刻铜存在的问题。

公开(公告)号：CN105624679B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201410613863.6

申请日：2014-11-04

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 董艳 ,  王逸群 ,  王洋洋 ,  冯海通

IPC分类号： C23F1/34

摘要： 本发明公开了一种铜蚀刻液及其制备方法，所述铜蚀刻液是含有质量浓度10g/L～15g/L的亚氯酸钠、质量浓度50g/L～70g/L的碳酸氢铵和体积浓度10mL/L～60mL/L的氨水的水溶液；该铜蚀刻液的制备方法包括步骤：A、在蚀刻液槽中加入预定量的水；B、向其中加入预定量的亚氯酸钠和碳酸氢铵，并充分溶解；及C、向步骤B得到的溶液中加入预定量的氨水，混合均匀得到所述铜蚀刻液。本发明还公开了该铜蚀刻液蚀刻铜的方法及其在半导体和微机电系统的制造及封装中的应用，该铜蚀刻液蚀刻铜的方法为将蚀刻对象物与所述铜蚀刻液接触。所述铜蚀刻液克服了干法蚀刻及其他蚀刻液蚀刻铜存在的问题。