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1.

发明公开
一种离子液体中电沉积制备单质硅的方法无效

公开(公告)号：CN104928704A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510346035.5

申请日：2015-06-19

申请人： 中国科学院过程工程研究所

发明人： 石朝辉 , 张军玲 , 陈仕谋 , 何宏艳 , 郎海燕 , 冷明浩 , 张锁江

IPC分类号： C25B1/00

摘要： 本发明公开了一种离子液体中电沉积制备单质硅的方法，用于解决以离子液体为介质，在直流电的作用下，由SiCl4等物质一步电沉积出硅的问题。创新之处为：它以咪唑类、吡啶类、哌啶类、季铵类和季鏻类离子液体中的一种或两种混合体系为介质，将SiCl4或金属的硅酸盐溶解于离子液体体系中，电沉积温度50℃～200℃，在固体金属阴极片上沉积出单质硅。本发明的特点包括：操作温度低、离子液体体系稳定、工艺步骤简单易操作；可通过恒流、恒压进行控制、易于实现连续生产、电流效率高，可显著降低硅生产能耗和成本。本发明在半导体材料的制备中具有很好的应用前景。