公开(公告)号：CN104009208A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410234056.3

申请日：2014-05-29

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 陈仕谋 ,  刘小雨 ,  张文龙 ,  张锁江 ,  张军玲 ,  郝文君 ,  宋玉婷

IPC: H01M4/1391 ,  H01M4/66 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01M4/362 ,  B82Y40/00 ,  H01M4/0416 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/523 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种在铜片集流体上两步法合成纳米Ni2O3/Co3O4负极材料的方法，该发明采用纳米线阵列直接生长在当前集流体基质上大大简化工艺处理，电极没有应用粘结剂和导电添加剂。先在酸处理后的铜基体上电镀一层纳米级颗粒的镍作为种子，随后通过水热反应生成纳米阵列，经高温煅烧制备出最终产物。通过选择适当的电镀镍时间，提高基底与材料之间的结合度使其不易脱落，从而提高锂离子电池的循环稳定性。同时与无镀镍的单纯Co3O4阵列相比，Ni2O3/Co3O4阵列提高了单位面积的容量值。在电化学性能性能测试时，制备的负极材料显示良好的高的充放电能力和循环寿命。