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发明公开
一种有效处理铌三锡薄膜表面锡滴的方法审中-实审

公开(公告)号：CN114990552A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210634294.8

申请日：2022-06-07

申请人： 中国科学院近代物理研究所

发明人： 杨自钦 , 何源 , 邱丰 , 李璐 , 初青伟 , 张生虎 , 邬帅 , 李建鹏

IPC分类号： C23F1/30 , C23C10/08 , C23C10/60

摘要： 本发明公开了一种利用微量可控化学处理手段有效去除锡蒸汽扩散法Nb3Sn薄膜表面残余锡滴的方法。现有锡蒸汽扩散法镀Nb3Sn薄膜工艺不可避免造成Nb3Sn表面残留一些纳米级锡滴。与Nb3Sn(Tc～18K)相比，Sn的超导转变温度只有3.7K，因此，Nb3Sn表面残余锡滴的存在将限制Nb3Sn薄膜的超导性能。本发明提出的微量可控化学方法可成功将Nb3Sn表面残余锡滴有效去除，同时降低锡蒸汽扩散Nb3Sn薄膜生长条件的精确控制要求，从而大幅度降低锡蒸汽扩散工艺的复杂性。