基于强流粒子加速器进行同位素生产的靶装置

    公开(公告)号:CN118945972A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411270236.7

    申请日:2024-09-11

    IPC分类号: H05H6/00

    摘要: 本发明涉及同位素生产设备的技术领域,提供一种基于强流粒子加速器进行同位素生产的靶装置,包括:靶室及靶组件;靶室具有内腔且用于迎向束流的一面设置有多个呈阵列排布的束孔,束孔上覆盖有靶窗;靶组件包括靶框;靶框与靶窗一一对应布置,且在束孔的轴向上,靶框内设置有用于安装靶胶囊的至少一个安装位;靶框的两侧设有开口,沿预设方向排布的多个靶框为一组,同组中靶框的侧部开口对应并与靶室的内壁围成独立的冷却液流道,每个靶胶囊沿束孔轴向的两侧均空出有间隙用于供冷却液流过;靶室的两侧分别设置有对应多条冷却液流道的多个进水孔和出水孔。如此设置,能够有效降低高束流强度下靶材的温升,实现毫安量级以上束流强度下的同位素生产。

    一种用于超高功率ECR离子源的直冷式等离子体电极

    公开(公告)号:CN117939766B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410075628.1

    申请日:2024-01-18

    IPC分类号: H05H1/24

    摘要: 本发明涉及一种用于超高功率ECR离子源的直冷式等离子体电极,包括基体和盖板,其中,基体为横截面是凸型且一侧开口的壳体结构,盖板为C形结构;基体内设置有盖板,基体与所板之间的容置空间形成C形水槽;对应于C形水槽的位置,基体上开设有用于ECR离子源中弧腔的水流流入流出的两个腰形孔;基体的外凸处中心开设有用于引出离子束的引出孔;对应于引出孔的位置,基体内的两侧设置有利于离子束引出和传输的斜度,该直冷式等离子体电极与弧腔完全接触,两者处于同等电位,能够避免水路在引出电极之间的绝缘,避免在引出区域设置绝缘水路,保证引出端的高真空流导,降低高压间打火的风险,本发明可以广泛应用于离子源领域中。

    基于高电荷态离子源的加速器质谱分析装置

    公开(公告)号:CN117612928B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202311470749.8

    申请日:2023-11-07

    IPC分类号: H01J49/10 H01J49/26 G01N27/62

    摘要: 本发明提供一种基于高电荷态离子源的加速器质谱分析装置,包括高电荷态离子源模块、第一选择模块、加速模块、第二选择模块和探测模块;高电荷态离子源模块用于产生高电荷态离子束流,第一选择模块用于对高电荷态离子束流进行第一级筛选;加速模块用于将高电荷态离子束流加速至预设的目标能量水平并进行速度筛选,第二选择模块用于对高电荷态离子束流进行第二级筛选;探测模块用于对高电荷态离子束流进行粒子鉴别和/或同位素丰度比测量。高电荷态离子源模块产生的高电荷态离子束流没有分子态的干扰,并且能够提供远大于现有技术中铯溅射负离子源的束流强度,提升测量灵敏度,还能对无法产生负离子的部分核素进行分析,适用范围广。

    一种重离子治疗装置中的离子源引出装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN117653929A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311638804.X

    申请日:2023-12-01

    IPC分类号: A61N5/10

    摘要: 本发明涉及一种重离子治疗装置中的离子源引出装置及其使用方法,其中,离子源引出装置包括吸极支撑法兰和离子源引出端法兰,引出绝缘陶瓷环的两端分别与离子源引出端法兰与吸极支撑法兰固定连接;引出绝缘陶瓷环内设置有隔离环,隔离环的一端紧靠在吸极支撑法兰上,另一端悬浮在引出绝缘陶瓷环内;其中,隔离环隔离引出绝缘陶瓷环,避免引出绝缘陶瓷环受到重离子治疗装置中的离子源产生的污染。本发明公开的重离子治疗装置中的离子源引出装置及其使用方法,延长了离子源的工作寿命,大大提高了运行效率。

    基于高电荷态离子源的加速器质谱分析装置

    公开(公告)号:CN117612928A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311470749.8

    申请日:2023-11-07

    IPC分类号: H01J49/10 H01J49/26 G01N27/62

    摘要: 本发明提供一种基于高电荷态离子源的加速器质谱分析装置,包括高电荷态离子源模块、第一选择模块、加速模块、第二选择模块和探测模块;高电荷态离子源模块用于产生高电荷态离子束流,第一选择模块用于对高电荷态离子束流进行第一级筛选;加速模块用于将高电荷态离子束流加速至预设的目标能量水平并进行速度筛选,第二选择模块用于对高电荷态离子束流进行第二级筛选;探测模块用于对高电荷态离子束流进行粒子鉴别和/或同位素丰度比测量。高电荷态离子源模块产生的高电荷态离子束流没有分子态的干扰,并且能够提供远大于现有技术中铯溅射负离子源的束流强度,提升测量灵敏度,还能对无法产生负离子的部分核素进行分析,适用范围广。

    用于应用型等时性回旋加速器的磁场装置

    公开(公告)号:CN116170933B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310025435.0

    申请日:2023-01-09

    IPC分类号: H05H7/04 H05H13/00

    摘要: 本申请涉及用于应用型等时性回旋加速器的磁场装置。采用直边加多螺角螺旋结构磁铁扇块结合圆柱高导磁芯,通过构建磁铁表面精细结构特征,不仅满足了等时性磁场的高精度要求,又解决了小半径和大半径磁场急剧下降的问题,保证了磁场稳定性。等时性磁场精度高、稳定性高、磁铁结构紧凑,且易于在加速器上安装和集成,在医用同位素生产中具有重要的应用价值。

    紧凑型强流H2+超导回旋加速器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116489864A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310026576.4

    申请日:2023-01-09

    IPC分类号: H05H13/00 H05H7/08

    摘要: 本发明涉及一种紧凑型强流H2+超导回旋加速器,包括强流分子束离子源、紧凑型LEBT、RFQ加速器和超导回旋加速器。所述强流分子束离子源用于产生H2+分子束。所述强流分子束离子源的底端与所述紧凑型LEBT的顶端连通,所述紧凑型LEBT用于对所述含H2+分子束的混合束进行筛选和聚焦。所述RFQ加速器用于将强流H2+分子束进行预加速和纵向聚束。所述RFQ加速器的底端插入至所述超导回旋加速器并将H2+分子束注入到回旋加速器的中心位置处,所述超导回旋加速器用于对所述H2+分子束进行回旋加速。所述超导回旋加速器系统能够产生mA级束流强度,且束流能量在30~250MeV,结构紧凑占地面积小。

    一种回旋加速器磁铁等时性磁场测量装置及方法

    公开(公告)号:CN116256676A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310024038.1

    申请日:2023-01-09

    IPC分类号: G01R33/07 G01R35/02 G01R33/44

    摘要: 本发明涉及一种回旋加速器磁铁等时性磁场测量装置和方法。回旋加速器磁铁等时性磁场测量装置包括:伺服电机;转轴,伺服电机带动转轴转动;转盘,转轴连接在转盘和伺服电机之间,转盘能够围绕转轴的轴线转动;测量轨道,测量轨道沿着垂直于转轴的方向水平地设置在转盘的上表面上;滑动支架,滑动支架能够在测量轨道上滑动,在滑动支架上设置有霍尔阵列和PCB(印制电路板)线圈阵列。通过在旋转机构上设计了霍尔阵列和PCB线圈阵列,测试结果相互校验,提升了测试效率和准确性。

    一种紧凑型离子直线加速装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116133227A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202310107801.7

    申请日:2023-02-10

    IPC分类号: H05H7/22 H05H9/00

    摘要: 本发明涉及一种紧凑型离子直线加速装置,包括离子束输送管道,离子束输送管道沿离子束输送方向依次分为低能加速段和高能加速段,低能加速段上布置有沿离子束输送方向依次递增加速频率至S波段的多个直线加速器,高能加速段上布置有高梯度的直线加速器,直线加速器的加速腔为铜腔结构,且高能加速段上直线加速器的加速腔工作温度范围为50K‑70K。本发明由多个直线加速器可将低能量的强流离子束逐步提高,并利用低温技术使高梯度直线加速器运行过程中能够对其进行冷却,以提高高能加速段上直线加速器的加速梯度,从而可进一步缩短加速器的长度,使加速装置小型化,从而降低成本实现普及,具有很强的实用性及可操作性。

    一种用于二次离子质谱仪的射频负离子源

    公开(公告)号:CN111755317B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202010630437.9

    申请日:2020-06-30

    IPC分类号: H01J49/10 H01J49/34

    摘要: 本发明公开了一种用于二次离子质谱仪的射频负离子源,包括:离子源源体包括放电腔室以及设置在放电腔室外部的封装磁体,封装磁体包括沿放电腔室的轴向分布的等离子体约束部和偏移磁场生成部;射频注入组件包括气源供给部和射频注入部,气源供给部向所述放电腔室内馈入工作气体,射频注入部安装在所述离子源源体的前端侧,向所述放电腔室内发出射频;离子束引出系统包括由前向后依次布置的等离子体电极、吸极和地电极;等离子体电极、吸极和地电极上分别对应开设有第一引出孔、第二引出孔和第三引出孔,等离子体电极用于对等离子体的状态进行调制;吸极用于初步加速引出的负离子束和吸附电子;地电极用于加速负离子束至目标能量。