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公开(公告)号:CN116618670A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310095087.4
申请日:2023-02-10
申请人: 中国科学院金属研究所
IPC分类号: B22F9/14 , B22F1/16 , B22F1/054 , B22F1/12 , H05K9/00 , B82Y5/00 , B82Y30/00 , A01N25/28 , A01N59/16 , A01P1/00 , A01P3/00
摘要: 一种兼具抗菌与吸波功能的二维石墨片层负载Ni@C纳米胶囊及其制备方法,采用高温等离子体电弧蒸发技术制备,高纯石墨棒作为阴极,高纯电解Ni粉和高纯石墨粉混合块靶材作为阳极,待电弧炉真空度达标后,充入适量氩气和乙腈,起弧放电,不断调整电极位置使电流电压保持稳定,待放电、钝化保护结束后,开盖收集反应腔体内壁沉积物即得引入N掺杂的二维多层石墨片层负载Ni@C纳米胶囊结构。N元素的成功引入,使得石墨片层缺陷浓度提高,产生大量极化活性位点,提高介电损耗,大幅提高材料的吸波能力,与Ni@C纳米胶囊中的软磁Ni核形成优异阻抗匹配与衰减损耗能力,且制备工艺简单安全、成本低产量高,可在吸波、抗菌等诸多领域得到广泛应用。