-
公开(公告)号：CN101450871A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710158757.3
申请日：2007-12-07
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C04B41/51
摘要： 本发明涉及在高温、高压下制备复合材料的方法，具体为一种炭石墨热等静压浸银工艺。将盛装银包石墨锭的坩埚和装入的银包石墨锭一起装入热等静压机中，进行热等静压，浸银工艺如下：先在100～200Pa下烘炉至300℃；通Ar气0.1～0.2MPa，升温至银充分熔化；断加热电源，抽真空至真空度为200－1000Pa；充Ar并通电加热，在1200～1260℃、80～90MPa下保温、保压1～3小时后，断电随炉冷却。本发明通过热等静压对炭石墨基体浸银，通过改进石墨坩埚结构，使热等静压浸银质量和效率提高，密度为1.70～1.82g/cm3的炭石墨基体经过热等静压浸银后制备成密度为2.80～3.50g/cm3浸银炭石墨复合材料，材料的强度、导热、导电和耐磨性能明显改善，为该材料开辟出新的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101450871B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200710158757.3
申请日：2007-12-07
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C04B41/51
摘要： 本发明涉及在高温、高压下制备复合材料的方法，具体为一种炭石墨热等静压浸银工艺。将盛装银包石墨锭的坩埚和装入的银包石墨锭一起装入热等静压机中，进行热等静压，浸银工艺如下：先在100～200Pa下烘炉至300℃；通Ar气0.1～0.2MPa，升温至银充分熔化；断加热电源，抽真空至真空度为200-1000Pa；充Ar并通电加热，在1200～1260℃、80～90MPa下保温、保压1～3小时后，断电随炉冷却。本发明通过热等静压对炭石墨基体浸银，通过改进石墨坩埚结构，使热等静压浸银质量和效率提高，密度为1.70～1.82g/cm3的炭石墨基体经过热等静压浸银后制备成密度为2.80～3.50g/cm3浸银炭石墨复合材料，材料的强度、导热、导电和耐磨性能明显改善，为该材料开辟出新的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101450872A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710158758.8
申请日：2007-12-07
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C04B41/51
摘要： 本发明涉及在高温、高压下制备复合材料的方法，具体为一种炭石墨热等静压浸银方法。将盛装银包石墨锭的坩埚和装入的银包石墨锭一起装入热等静压机中，进行热等静压，用于热等静压浸银的坩埚分为保护坩埚和盛装银包石墨锭的浸银坩埚，浸银坩埚置于保护坩埚内，盛装银包石墨锭的浸银坩埚的直径尺寸比所装银锭直径大1～5％，最上层浸银坩埚安装有螺盖，螺盖与浸银坩埚通过螺纹连接。本发明通过热等静压对炭石墨基体浸银，通过改进石墨坩埚结构，使热等静压浸银质量和效率提高，密度为1.70～1.82g/cm3的炭石墨基体经过热等静压浸银后制备成密度为2.80～3.50g/cm3浸银炭石墨复合材料，材料的强度、导热、导电和耐磨性能明显改善，为该材料开辟出新的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101450872B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200710158758.8
申请日：2007-12-07
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C04B41/51
摘要： 本发明涉及在高温、高压下制备复合材料的方法，具体为一种炭石墨热等静压浸银方法。将盛装银包石墨锭的坩埚和装入的银包石墨锭一起装入热等静压机中，进行热等静压，用于热等静压浸银的坩埚分为保护坩埚和盛装银包石墨锭的浸银坩埚，浸银坩埚置于保护坩埚内，盛装银包石墨锭的浸银坩埚的直径尺寸比所装银锭直径大1～5％，最上层浸银坩埚安装有螺盖，螺盖与浸银坩埚通过螺纹连接。本发明通过热等静压对炭石墨基体浸银，通过改进石墨坩埚结构，使热等静压浸银质量和效率提高，密度为1.70～1.82g/cm3的炭石墨基体经过热等静压浸银后制备成密度为2.80～3.50g/cm3浸银炭石墨复合材料，材料的强度、导热、导电和耐磨性能明显改善，为该材料开辟出新的应用前景。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.03 秒)
