分裂椭圆型超表面折射率传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117517255A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311515104.1

    申请日:2023-11-14

    Abstract: 本发明涉及光学技术领域,尤其涉及一种分裂椭圆型超表面折射率传感器及其制备方法,传感器包括:基底和全介质超表面结构阵列;全介质超表面结构阵列包括多个全介质超表面单元结构,多个全介质超表面单元结构周期性的排列在基底上,全介质超表面单元结构包括第一纳米柱和第二纳米柱,第一纳米柱和第二纳米柱均是沿着短轴切分的半椭圆柱,第一纳米柱和第二纳米柱相对布置且不接触,第一纳米柱和第二纳米柱的长轴在同一条直线上,且第一纳米柱和第二纳米柱的短轴均与分裂椭圆型超表面折射率传感器的边长方向的夹角为45°。本发明采用全介质材料代替具有欧姆损耗的金属材料,通过打破分裂椭圆结构的对称性获得了高品质因子的谐振峰。

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