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公开(公告)号：CN104466674B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410734382.0
申请日：2014-12-03
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法，属于光电半导体技术领域，为了解决半导体激光器单元器件不能很好的兼顾高输出功率和高光束质量的缺点，该激光器是在n型衬底上用金属有机化学气相沉积方法依次生长n型缓冲层、n型包层、下波导层、量子阱、上波导层、p型包层和p型盖层，其还包括三个激光器，该三个激光器与一矩形波导相连接，其中，两平行且有一定间距的激光器与矩形波导左侧连接，另一激光器与矩形波导右侧连接；一矩形波导，该矩形波导与三个激光器相互连接；所述的三个激光器和矩形波导均是在p型盖层上向下刻蚀至p型包层形成的；一Y波导二维光子晶体，该光子晶体位于矩形波导上。
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公开(公告)号：CN104466674A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410734382.0
申请日：2014-12-03
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法，属于光电半导体技术领域，为了解决半导体激光器单元器件不能很好的兼顾高输出功率和高光束质量的缺点，该激光器是在n型衬底上用金属有机化学气相沉积方法依次生长n型缓冲层、n型包层、下波导层、量子阱、上波导层、p型包层和p型盖层，其还包括三个激光器，该三个激光器与一矩形波导相连接，其中，两平行且有一定间距的激光器与矩形波导左侧连接，另一激光器与矩形波导右侧连接；一矩形波导，该矩形波导与三个激光器相互连接；所述的三个激光器和矩形波导均是在p型盖层上向下刻蚀至p型包层形成的；一Y波导二维光子晶体，该光子晶体位于矩形波导上。
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公开(公告)号：CN103346476B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310254144.5
申请日：2013-06-24
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法，属于量子信息学领域，为解决单量子点微腔的单光子源存在的问题，在衬底上依次生长缓冲层、下布拉格反射镜、光学缺陷层和上布拉格反射镜，上电极接触层生长在上布拉格反射镜上面周边区域，下电极接触层生长在衬底下面；表面横向二维光子晶体结构由微纳加工制成的空气孔洞-半导体构成，内部横向谐振腔光学尺度为量子环的增益波长的一半，横向二维光子晶体谐振腔模式波长与量子环的增益波长匹配；所述量子环位于光学缺陷层中间，并且位于上布拉格反射镜、下布拉格反射镜和横向二维光子晶体结构构成的三维纳腔中心；采用量子环作为发光介质，量子效率更高；量子环材料可以覆盖量子点无法覆盖的波段。
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公开(公告)号：CN104409965A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410345364.3
申请日：2014-07-18
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 本发明提供一种布拉格反射波导GaSb基半导体激光器，该激光器由下至上依次包括：n面电极、GaSb衬底、下限制层、下波导层、第一中心腔、第二中心腔、上波导层、上限制层、盖层和p面电极，第一中心腔和第二中心腔内设有有源层；下波导层包括多对n型掺杂的高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜；上波导层包括多对p型掺杂的高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜。本发明利用布拉格反射波导限制光场分布，可有效改善传统GaSb基边发射半导体激光器端面灾变性毁坏、烧空、电热烧毁和光束成丝等效应，提高激光机的光束质量，有效的降低了垂直发散角，其横向远场发散角半高全宽可达到10°以下。
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公开(公告)号：CN103346476A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310254144.5
申请日：2013-06-24
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法，属于量子信息学领域，为解决单量子点微腔的单光子源存在的问题，在衬底上依次生长缓冲层、下布拉格反射镜、光学缺陷层和上布拉格反射镜，上电极接触层生长在上布拉格反射镜上面周边区域，下电极接触层生长在衬底下面；表面横向二维光子晶体结构由微纳加工制成的空气孔洞-半导体构成，内部横向谐振腔光学尺度为量子环的增益波长的一半，横向二维光子晶体谐振腔模式波长与量子环的增益波长匹配；所述量子环位于光学缺陷层中间，并且位于上布拉格反射镜、下布拉格反射镜和横向二维光子晶体结构构成的三维纳腔中心；采用量子环作为发光介质，量子效率更高；量子环材料可以覆盖量子点无法覆盖的波段。
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