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公开(公告)号：CN118630573A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411107173.3
申请日：2024-08-13
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种线偏振窄线宽外腔式半导体激光器，包括：脊波导增益芯片、光子滤波器和耦合透镜，脊波导增益芯片与光子滤波器通过耦合透镜进行耦合；其中，脊波导增益芯片采用压应变量子阱结构，以提升TE模式增益并抑制TM模式增益；光子滤波器基于自身的双折射效应，以增强脊波导增益芯片的TE模式选择和反馈，实现窄线宽线偏振的激光输出。本发明通过外腔光反馈注入锁定技术，利用光子滤波器的双折射效应，为脊波导增益芯片提供主偏振本征模式的选择和反馈，实现窄线宽线偏振的激光输出。
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公开(公告)号：CN116598889A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310886697.6
申请日：2023-07-19
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明涉及VCSEL技术领域，具体提供一种具有光束聚集功能的垂直腔面发射激光器及其制备方法，该激光器包括从下至上依次层叠的N型电极、衬底、N型DBR层、下波导层、有源层、氧化层、上波导层、P型DBR层和P型电极，N型DBR层与P型DBR层为曲面结构或多边形结构，使垂直腔内的光束向激光器的中心出光孔聚集。本发明通过激光器的基本工艺即可完成制作，具有制作工艺简单的特点，且内部的弯曲的DBR结构可以将光束向中心出光孔方向聚集，实现稳定大功率的单模输出。
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公开(公告)号：CN116487996A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310720626.9
申请日：2023-06-19
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明涉及半导器激光器技术领域，具体提供一种高边模抑制比窄线宽外腔激光器及光学设备，量子点增益芯片采用脊型弯曲波导结构，量子点增益芯片的前端面具有弯曲角度，平板波导光子滤波器由采用半波片HWP和偏振分束器PBS组合构成，非球面透镜将前端面输出的光聚焦到平板波导光子滤波器中，将量子点增益芯片与平板波导光子滤波器进行耦合集成构成等效谐振腔，通过脉冲能量调节和波导位移控制可以灵活制备不同切趾函数分布的平板波导光子滤波器，通过负反馈机制实现激光器的线宽压窄和噪声抑制，采用外部光反馈注入锁定技术和飞秒切趾平板波导光子滤波器实现主模式选择和高模式增益差。
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公开(公告)号：CN115764543A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202310026974.6
申请日：2023-01-09
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01S5/14
摘要： 本发明涉及半导体激光器领域，具体涉及一种抗辐射窄线宽半导体激光器及光学设备，包括半导体增益芯片、光子滤波器、耦合组件、热敏电阻、热沉、半导体制冷器以及蝶形管壳，半导体增益芯片和光子滤波器通过耦合组件进行耦合集成，半导体增益芯片、光子滤波器、所述耦合组件以及热敏电阻分别焊接在热沉的上表面，热沉焊接在所述半导体制冷器的上表面，基于永久折射率调制光子滤波器光反馈结构以保证激光器的抗辐射特性，采用飞秒激光刻写的高稳定性光纤光子滤波器作为选频器件，利用超短脉冲的高峰值功率密度，有效避免了光子滤波器再次被辐照射线改变，展现了优异的抗辐射性能，能够满足空间激光通信应用对光源的抗辐射需求。
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公开(公告)号：CN113794097B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202111039169.4
申请日：2021-09-06
IPC分类号： H01S3/08 , H01S3/0933 , H01S3/094
摘要： 本发明提供一种波长切换式半导体激光器，包括增益芯片、外腔选频器件和波片，外腔选频器件与增益芯片之间构成F‑P谐振腔，外腔选频器件的结构为平面波导光栅，基于平面波导光栅的双折射效应，使得外腔选频器件反射的TE模式和TM模式分裂；波片设置在F‑P谐振腔内，通过旋转波片调整F‑P谐振腔内TE模式和TM模式的损耗和增益，实现F‑P谐振腔内TE模式和/或TM模式的激射切换。本发明具有高紧凑度、高集成化的特点，能够实现蝶形封装的模块化，实现器件的小型化；同时关键元器件的制备工艺简单，仅需要一个掩模版制备的单一选频器件就能实现两个模式的选择，进一步降低了成本。
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公开(公告)号：CN114498286A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210102634.2
申请日：2022-01-27
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/02335
摘要： 本发明提供一种集成加热功能的半导体激光器及其制备方法，在半导体激光器的上表面和/或下表面制备微纳加热丝及加热丝电极，微纳加热丝的两端与加热丝电极连接，加热丝电极向微纳加热丝供电，微纳加热丝对半导体激光器进行加热。本发明能够实现半导体激光器的芯片级加热功能的集成，不会额外增加芯片体积及成本；加热丝通过常规的金属沉积工艺即可制备完成，制备方法简单，兼容性好。
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公开(公告)号：CN111257996A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010198505.9
申请日：2020-03-18
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明公开了一种双折射波导布拉格光栅反射器，包括衬底；位于衬底表面的下包层；位于下包层背向衬底一侧表面的波导芯层；波导芯层背向下包层一侧表面刻蚀有多个凹槽以形成光栅，光栅的波矢方向平行于波导芯层的波导方向；位于波导芯层背向衬底一侧表面的上包层，上包层覆盖光栅。通过在波导芯层表面刻蚀出光栅可以改变波导芯层的形状对称性，从而提高双折射波导布拉格光栅反射器的形状双折射值；同时光栅可以使得波导芯层与上包层以及下包层之间存在强烈的各向异性应力，从而使得双折射波导布拉格光栅反射器具有较高的应力双折射值，使得双折射波导布拉格光栅反射器具有较高的双折射值。本发明还提供了一种制备方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN115764544B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310027069.2
申请日：2023-01-09
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01S5/14
摘要： 本发明涉及半导体激光器领域，具体涉及一种高边模抑制比窄线宽外腔激光器,通过基于宽增益的量子点增益芯片和光子滤波器的耦合集成构建半导体激光器，使用宽增益的量子点增益芯片来增加光谱合束的范围，提升光谱合束功率，光子滤波器是采用飞秒激光逐点刻写技术灵活制备的，等效谐振腔的高Q值用于实现主模式选择和高模式增益差，通过光学负反馈机制实现线宽压缩和噪声抑制，可以在增益范围内实现更多波长的种子源激光器。本发明通过外腔光反馈注入锁定技术，利用光子滤波器的窄反射带宽和切趾折射率调制，实现了窄线宽和高边模抑制比的激光输出。
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公开(公告)号：CN115693394A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211427480.0
申请日：2022-11-15
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明提供一种具有模式调控功能的VCSEL激光器及其制备方法，其中的VCSEL激光器包括输出高阶模光束和基模光束的出光口，在出光口的表面制备对高阶模光束进行折转的模式调控结构，使高阶模光束与基模光束发生分离。与现有技术相比，本发明在VCSEL的表面集成模式调控结构，只对出光孔边缘的高阶模光束进行滤除，而不影响中心区域的基膜光束的稳定输出，不会降低基模光束的输出损耗，同时还具有制备工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN110470622B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910802854.4
申请日：2019-08-28
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明实施例公开了一种气体浓度检测方法、装置及系统。其中，方法包括同步控制激光信号驱动装置输出激光调制信号和气体浓度测量装置的PZT压电陶瓷驱动单元输出周期性阶梯分段驱动信号；该驱动信号由多个相同的阶梯波形信号组成，各阶梯波形信号依次包括第一电压稳压段、电压上升段、第二电压稳压段和电压下降段，电压上升段和电压下降段驱动压电陶瓷周期性改变光学谐振腔的腔长，并在各阶梯波形信号的第一电压稳压段和第二电压稳压段控制输出激光调制信号；通过拟合处理利用TDLAS光波动提取技术计算的光波动数据和利用CEAS腔增强检测技术计算的待测气体浓度数据得到去除光波动干扰的气体浓度，在保证气体浓度检测精度的同时提升了系统的易用性。
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