一种定型相变储热材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117683518A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311687147.8

    申请日:2023-12-08

    IPC分类号: C09K5/06

    摘要: 一种定型相变储热材料及其制备方法,涉及储热材料技术领域,解决了现有相变储热材料稳定性、热导率和相变焓低的问题。定型相变储热材料包括如下质量份数的组分:相变材料45份~90份,莫来石多孔陶瓷粉10份~55份,导热增强剂5份~20份;相变材料为碳酸钠和氯化钠的混合物;导热增强剂为SiC纳米颗粒、膨胀石墨、碳纳米管中的一种或者至少两种的混合物。按比例称取碳酸钠和氯化钠并混合均匀,对得到的混合物进行烧结处理,经冷却后研磨,得到二元共晶盐;将二元共晶盐、支撑材料和导热增强剂按照比例混合,然后在压片机中压制成预制体;将预制体烧结处理,经冷却后得到定型相变储热材料。

    一种铬离子掺杂的锑酸盐近红外长余辉荧光材料

    公开(公告)号:CN114806565B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202210549901.0

    申请日:2022-05-20

    IPC分类号: C09K11/75

    摘要: 本发明提供了一种如式Mg2‑2x‑yZnyInSbO6:xCr3+,xR+所示的铬离子掺杂的锑酸盐近红外长余辉荧光材料,本申请还提供了锑酸盐近红外长余辉荧光材料的制备方法。本申请提供的锑酸盐荧光材料,激发带从240nm延伸到650nm,可被近紫外光有效激发,具有高达70.8%的内量子效率;在激发光的照射下发射近红外光,移走激发光源后,拥有近红外长余辉发光效果,可持续24小时。本发明所采用的制造方法简单,可操作性强,不需要在还原气氛之中煅烧,无废水废气排放,环境友好,重现性好,产品质量稳定,易于操作和工业化生产。

    一种铬离子掺杂的锑酸盐近红外长余辉荧光材料

    公开(公告)号:CN114806565A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210549901.0

    申请日:2022-05-20

    IPC分类号: C09K11/75

    摘要: 本发明提供了一种如式Mg2‑2x‑yZnyInSbO6:xCr3+,xR+所示的铬离子掺杂的锑酸盐近红外长余辉荧光材料,本申请还提供了锑酸盐近红外长余辉荧光材料的制备方法。本申请提供的锑酸盐荧光材料,激发带从240nm延伸到650nm,可被近紫外光有效激发,具有高达70.8%的内量子效率;在激发光的照射下发射近红外光,移走激发光源后,拥有近红外长余辉发光效果,可持续24小时。本发明所采用的制造方法简单,可操作性强,不需要在还原气氛之中煅烧,无废水废气排放,环境友好,重现性好,产品质量稳定,易于操作和工业化生产。

    一种近红外发光材料及其制备方法和含该材料的发光器件

    公开(公告)号:CN113773837A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111106065.0

    申请日:2021-09-22

    IPC分类号: C09K11/67 C09K11/66 H01L33/50

    摘要: 本申请提供了一种近红外发光材料及其制备方法和在应变传感器中的应用,该发光材料通式为:Li2+x‑yNayA3M1‑zO6:zCr3+;0≤x≤1.0,0≤y≤0.5,0<z<1.0;A为Mg、Zn中的一种或两种;M为Ti、Zr、Hf、Ge、Si、Sn中的一种或多种;以宽带的近红外发光为主。本发明主要以Li2O·MgO·MO2为基础组分,Li为调控基质组分;Cr为发光离子,且参与晶体场的调控;Cr含量可调控基质组分的晶体场,影响近红外光发光中心和半峰宽,获得不同发光峰位及光谱峰形的宽带近红外发光的发光材料。该发光材料可被蓝光激发,与蓝光芯片组成高效近红外光发光器件,可用于近红外LED各个领域。

    一种可发射紫外光的长余辉发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117467439A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311498098.3

    申请日:2023-11-10

    IPC分类号: C09K11/66 C01G17/00

    摘要: 本发明公开了一种可发射紫外光的长余辉发光材料及其制备方法,属于长余辉发光材料技术领域。所述可发射紫外光的长余辉发光材料具有式xBi3+式(I);其中,M选自Ca、Sr、Ba(I)中的一种或多种所示的通式:Na,20.M10001‑xGe2≤O6:x≤0.1。所述可发射紫外光的长余辉发光材料以Na2MGe2O6为基质,三价Bi离子为发光中心,使得材料可以有效被紫外光,特别是254nm的紫外光激发,并且余辉明亮,余辉时间较长,最长可持续24小时;同时,该长余辉材料的制备工艺简单,原料成本低廉,产品化学性质稳定、蓬松,易研磨,无放射性,环境污染小。

    一种长余辉发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114774125B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202210513329.2

    申请日:2022-05-12

    IPC分类号: C09K11/78

    摘要: 本发明提供了一种如式BaM2‑x‑zGe3O10:xBi,zR所示的紫外长余辉发光材料,本申请还提供了长余辉发光材料的制备方法。本发明提供的紫外长余辉发光材料以锗酸钡为基质,Bi离子为发光中心,三价稀土离子掺杂的紫外长余辉材料。与现有技术相比,该发明体系的长余辉材料紫外余辉强度较高,余辉时间较长,余辉最长可以持续3小时以上;在305nm紫外光激发下,最优化样品的发光内、外量子效率分别达到81.0%和49.3%;同时,该长余辉材料制备工艺简单,产品化学性质稳定、蓬松非常易研磨,无放射性,不会对环境造成危害。

    一种近红外发光材料及其制备方法和含该材料的发光器件

    公开(公告)号:CN113773837B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202111106065.0

    申请日:2021-09-22

    IPC分类号: C09K11/67 C09K11/66 H01L33/50

    摘要: 本申请提供了一种近红外发光材料及其制备方法和在应变传感器中的应用,该发光材料通式为:Li2+x‑yNayA3M1‑zO6:zCr3+;0≤x≤1.0,0≤y≤0.5,0<z<1.0;A为Mg、Zn中的一种或两种;M为Ti、Zr、Hf、Ge、Si、Sn中的一种或多种;以宽带的近红外发光为主。本发明主要以Li2O·MgO·MO2为基础组分,Li为调控基质组分;Cr为发光离子,且参与晶体场的调控;Cr含量可调控基质组分的晶体场,影响近红外光发光中心和半峰宽,获得不同发光峰位及光谱峰形的宽带近红外发光的发光材料。该发光材料可被蓝光激发,与蓝光芯片组成高效近红外光发光器件,可用于近红外LED各个领域。