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公开(公告)号：CN115165095A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210846525.1
申请日：2022-07-19
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
IPC: G01J3/04
Abstract: 本发明公开了一种高精度的旋转刀片狭缝装置，包括真空盒和至少一组狭缝结构，所述真空盒相对应的两侧壁分别设置有入光口和出光口；所述狭缝结构包括转动机构和刀片，两个转动机构一端设置在真空盒外部，每个转动机构的输出端伸入所述真空盒内部并连接所述刀片，两个刀片对称设置，两个刀片之间间隙为狭缝宽度H，驱动所述转动机构带动所述刀片转动来改变狭缝宽度大小。本发明的优点在于，本发明中采用转动机构转动刀片相对于现有的刀片平动能够大大提高狭缝装置的精度，满足高精度的狭缝要求，使得该狭缝装置能够广泛应用到高精密的光学仪器中。
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公开(公告)号：CN111610206B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010582553.8
申请日：2020-06-23
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
IPC: G01N23/20 , G01N23/20008 , G01N23/207 , G01N23/02
Abstract: 本发明公开了一种相干X光保护、监测与智能衰减一体化集成装置，该装置包括狭缝、快速监测器、衰减片智能控制系统和真空密封高相干保持窗，采用真空光路消除气体散射对入射光相干性的破坏，利用快速监测器监测入射光强度变化，采用控制程序自动计算并控制衰减片组合的插入和拔出，保证用光装置始终工作在安全阈值以内。本发明保护了入射光的相干性，解决了传统的电离室监测器的响应滞后和与真空不相容的问题，避免了用光装置受过饱和光强损伤。该集成装置具有紧凑、响应快、工作自动化等优点。
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公开(公告)号：CN116520509B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202310514620.6
申请日：2023-05-09
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开一种改变薄膜生长模式和表面形貌的倏逝波调制器及调制方法。调制器包括样品夹、耦合器和光吸收片。它使用激光在透明基片的表面产生倏逝波，用来调制薄膜的生长模式和生长形貌。其中，耦合器把光纤导入的p偏振激光传入样品夹；样品夹以大于全反射临界角的入射角把激光从基片背面入射到基片的内表面上，产生全反射，在外表面上同时产生的倏逝波场；倏逝波场极化基片表面的吸附原子，使之受到指向界面的净吸引力，促进吸附原子从薄膜的成核或岛上向下扩散，抑制其向上扩散，从而把岛状生长模式转变为层状生长模式，使薄膜表面平整化；光吸收片吸收基片全反射回来的激光和光路中漫散射的激光，用于加热薄膜样品。
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公开(公告)号：CN113008925B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110507360.0
申请日：2021-05-10
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
IPC: G01N23/223
Abstract: 本发明公开了一种消反冲震动的平动光闸兼荧光靶装置，包括：一个真空盒，两块对称的光闸兼荧光靶，一套实现反向对称运动的动力与传动机构，一个摄像头。两块对称挡光块在背面涂有等量荧光粉或者装有相同的两片闪烁晶体片，构成光闸兼荧光靶，它们与动力与传动机构一起安装在真空盒的盖板上，摄像头对准荧光靶面，显示光斑的形状、位置及其变化。光闸兼荧光靶在动力与传动机构的驱动下作反向对称运动，其反冲动量相消，消除了其变速运动引起的对外反冲震动。
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公开(公告)号：CN116520509A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310514620.6
申请日：2023-05-09
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开一种改变薄膜生长模式和表面形貌的倏逝波调制器及调制方法。调制器包括样品夹、耦合器和光吸收片。它使用激光在透明基片的表面产生倏逝波，用来调制薄膜的生长模式和生长形貌。其中，耦合器把光纤导入的p偏振激光传入样品夹；样品夹以大于全反射临界角的入射角把激光从基片背面入射到基片的内表面上，产生全反射，在外表面上同时产生的倏逝波场；倏逝波场极化基片表面的吸附原子，使之受到指向界面的净吸引力，促进吸附原子从薄膜的成核或岛上向下扩散，抑制其向上扩散，从而把岛状生长模式转变为层状生长模式，使薄膜表面平整化；光吸收片吸收基片全反射回来的激光和光路中漫散射的激光，用于加热薄膜样品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113008925A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110507360.0
申请日：2021-05-10
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
IPC: G01N23/223
Abstract: 本发明公开了一种消反冲震动的平动光闸兼荧光靶装置，包括：一个真空盒，两块对称的光闸兼荧光靶，一套实现反向对称运动的动力与传动机构，一个摄像头。两块对称挡光块在背面涂有等量荧光粉或者装有相同的两片闪烁晶体片，构成光闸兼荧光靶，它们与动力与传动机构一起安装在真空盒的盖板上，摄像头对准荧光靶面，显示光斑的形状、位置及其变化。光闸兼荧光靶在动力与传动机构的驱动下作反向对称运动，其反冲动量相消，消除了其变速运动引起的对外反冲震动。
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公开(公告)号：CN117147602A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310917315.1
申请日：2023-07-25
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
IPC: G01N23/207 , G01N23/20025 , G01N35/10
Abstract: 本发明涉及光学技术领域，提供一种自动更换样品的系统。该自动更换样品的系统包括样品定位装置和自动取放样品装置；其中，样品定位装置连接于测角头，用于固定待测样品；自动取放样品装置与样品检测实验站电连接，用于根据样品检测实验站发送的更换样品信号，自动更换样品定位装置上的待测样品。通过在原有的样品检测实验站上安装样品定位装置，以及安装与样品检测实验站的探测器电连接的自动取放样品装置，自动取放样品装置能够根据探测器发送的更换样品信号，自动更换样品定位装置上的待测样品，这样就避免实验人员在实验过程中全程都要参与检测，降低实验人员数量，进而降低检测成本，提高实验效率。
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公开(公告)号：CN111610206A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010582553.8
申请日：2020-06-23
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
IPC: G01N23/20 , G01N23/20008 , G01N23/207 , G01N23/02
Abstract: 本发明公开了一种相干X光保护、监测与智能衰减一体化集成装置，该装置包括狭缝、快速监测器、衰减片智能控制系统和真空密封高相干保持窗，采用真空光路消除气体散射对入射光相干性的破坏，利用快速监测器监测入射光强度变化，采用控制程序自动计算并控制衰减片组合的插入和拔出，保证用光装置始终工作在安全阈值以内。本发明保护了入射光的相干性，解决了传统的电离室监测器的响应滞后和与真空不相容的问题，避免了用光装置受过饱和光强损伤。该集成装置具有紧凑、响应快、工作自动化等优点。
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公开(公告)号：CN101964381B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910089589.6
申请日：2009-07-22
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
IPC: H01L33/00 , H01L29/861 , H01L29/24 , H01L21/329 , H01L21/363
Abstract: 本发明涉及由p型掺Ga的SnO2(p-SnO2:Ga)和n型掺F的SnO2(n-SnO2:F)构成的透明同质结p-SnO2:Ga/n-SnO2:F二极管及其制备方法。采用磁控溅射和活性氧技术，可在有n-SnO2:F导电层的衬底上生长p-SnO2:Ga透明导电薄膜，制备出透明同质p-n结二极管。该二极管具有典型的I-V整流特性，且具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低、热稳定性和化学稳定性好等特点，可用作透明电子器件的基本元件。
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公开(公告)号：CN101964381A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910089589.6
申请日：2009-07-22
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
IPC: H01L33/00 , H01L29/861 , H01L29/24 , H01L21/329 , H01L21/363
Abstract: 本发明涉及由p型掺Ga的SnO2(p-SnO2:Ga)和n型掺F的SnO2(n-SnO2:F)构成的透明同质结p-SnO2:Ga/n-SnO2:F二极管及其制备方法。采用磁控溅射和活性氧技术，可在有n-SnO2:F导电层的衬底上生长p-SnO2:Ga透明导电薄膜，制备出透明同质p-n结二极管。该二极管具有典型的I-V整流特性，且具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低、热稳定性和化学稳定性好等特点，可用作透明电子器件的基本元件。
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