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公开(公告)号：CN112068187B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010916473.1
申请日：2020-09-03
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： G01T3/06
摘要： 本发明涉及一种高灵敏度热中子探测器，属于中子探测成像技术领域，解决了现有技术中热中子探测器探测效率低的问题。该探测器包括，中子转换体，包括Gd金属层及与Gd金属层密接的朔闪光纤阵列；Gd金属层用于接收照射待测样品后出射的热中子，并与其发生核反应产生内转换电子，内转换电子穿透Gd金属层进入朔闪光纤阵列；朔闪光纤阵列，用于将内转换电子在其中产生的可见光传输至SiPM阵列成像系统；SiPM阵列成像系统，用于探测可见光并获得第一探测图像；处理器，用于处理第一探测图像和无待测样品时获得的第二探测图像获得携带待测样品的信息的图像，该探测器对热中子具有较高的捕获率、转换率，从而提高了探测效率，并且具有较高的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN112068187A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010916473.1
申请日：2020-09-03
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： G01T3/06
摘要： 本发明涉及一种高灵敏度热中子探测器，属于中子探测成像技术领域，解决了现有技术中热中子探测器探测效率低的问题。该探测器包括，中子转换体，包括Gd金属层及与Gd金属层密接的朔闪光纤阵列；Gd金属层用于接收照射待测样品后出射的热中子，并与其发生核反应产生内转换电子，内转换电子穿透Gd金属层进入朔闪光纤阵列；朔闪光纤阵列，用于将内转换电子在其中产生的可见光传输至SiPM阵列成像系统；SiPM阵列成像系统，用于探测可见光并获得第一探测图像；处理器，用于处理第一探测图像和无待测样品时获得的第二探测图像获得携带待测样品的信息的图像，该探测器对热中子具有较高的捕获率、转换率，从而提高了探测效率，并且具有较高的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN113359179A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110615021.4
申请日：2021-06-02
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： G01T1/204
摘要： 本发明涉及一种液体闪烁体探测装置及入射粒子二维位置探测方法，属于粒子探测技术领域，解决了现有探测装置探测精度低的问题。该装置包括处理器以及两个结构相同且相互垂直的液体闪烁体探测器；液体闪烁体探测器包括：液体闪烁体，用于探测入射粒子产生闪烁光；一维波移光纤阵列，覆盖于容器的密封侧，接收闪烁光并传输至其两端；两个光电转换器，分别连接于一维波移光纤阵列的两端，用于将该两端传输的闪烁光对应转化为两个电信号；处理器用于根据两个液体闪烁体探测器输出的四个电信号获得入射粒子的二维位置信息。该装置利用相互垂直的两个波移光纤阵列即可探测获得入射粒子的二维位置信息，探测面积大、精度高且装置成本低。
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公开(公告)号：CN113359179B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202110615021.4
申请日：2021-06-02
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： G01T1/204
摘要： 本发明涉及一种液体闪烁体探测装置及入射粒子二维位置探测方法，属于粒子探测技术领域，解决了现有探测装置探测精度低的问题。该装置包括处理器以及两个结构相同且相互垂直的液体闪烁体探测器；液体闪烁体探测器包括：液体闪烁体，用于探测入射粒子产生闪烁光；一维波移光纤阵列，覆盖于容器的密封侧，接收闪烁光并传输至其两端；两个光电转换器，分别连接于一维波移光纤阵列的两端，用于将该两端传输的闪烁光对应转化为两个电信号；处理器用于根据两个液体闪烁体探测器输出的四个电信号获得入射粒子的二维位置信息。该装置利用相互垂直的两个波移光纤阵列即可探测获得入射粒子的二维位置信息，探测面积大、精度高且装置成本低。
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公开(公告)号：CN111741580B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010712239.7
申请日：2020-07-22
申请人： 中国科学院高能物理研究所
发明人： 黄永盛
摘要： 本发明涉及一种高功率波长可调的极紫外光源的产生装置及方法，属于半导体光刻技术领域，解决了现有技术中产生的极紫外光功率及波长不可调，限制了光刻的分辨率的问题。该装置包括环形加速器，用于对电子束进行加速并使所述电子束在所述环形加速器中做圆周运动；光存储器，用于存储激光脉冲；环形加速器与光存储器相通，环形加速器与光存储器的内部均为真空，相通的部分为激光电子对撞区；在激光电子对撞区内，电子束与激光脉冲对撞发生散射作用产生极紫外光脉冲并经由光存储器出射。本发明通过该装置实现电子束与激光脉冲对撞产生极紫外光，并通过调整电子束的能量及激光脉冲的频率可以实现产生不同波长不同功率的极紫外光。
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公开(公告)号：CN111741580A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010712239.7
申请日：2020-07-22
申请人： 中国科学院高能物理研究所
发明人： 黄永盛
摘要： 本发明涉及一种高功率波长可调的极紫外光源的产生装置及方法，属于半导体光刻技术领域，解决了现有技术中产生的极紫外光功率及波长不可调，限制了光刻的分辨率的问题。该装置包括环形加速器，用于对电子束进行加速并使所述电子束在所述环形加速器中做圆周运动；光存储器，用于存储激光脉冲；环形加速器与光存储器相通，环形加速器与光存储器的内部均为真空，相通的部分为激光电子对撞区；在激光电子对撞区内，电子束与激光脉冲对撞发生散射作用产生极紫外光脉冲并经由光存储器出射。本发明通过该装置实现电子束与激光脉冲对撞产生极紫外光，并通过调整电子束的能量及激光脉冲的频率可以实现产生不同波长不同功率的极紫外光。
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公开(公告)号：CN214750861U
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202120536300.7
申请日：2021-03-15
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： G01T3/08
摘要： 本实用新型提供了一种热中子探测器，涉及探测设备技术领域，解决了热中子探测器结构复杂、体积大、不利于中子成像探测器的大面积集成和像素化读出的技术问题。该热中子探测器包括热中子转换体和硅光电倍增管，热中子转换体采用可以产生俄歇电子的材料制成，热中子转换体与硅光电倍增管的灵敏面紧密贴合连接；热中子转换体采用的可以产生俄歇电子的材料为钆材料；硅光电倍增管的灵敏面为无封装的裸片结构。本实用新型的硅光电倍增管直接探测热中子被转换体俘获后会产生的电子，电子在硅光电倍增管内经倍增放大后输出电信号，具有结构简单、体积小、成本低，便于成像探测器大面积集成和像素化读出的特点。
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