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公开(公告)号：CN112162223B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010844399.7
申请日：2020-08-20
IPC分类号： G01R33/035
摘要： 本申请涉及一种SQUID器件电磁参数测试方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取电磁参数测试的配置信息，根据第一电磁参数的配置信息确定第一电磁参数的各个观测值；采集在第一电磁参数的各个观测值下对应的第二电磁参数的检测值；根据第一电磁参数的各个观测值及对应的第二电磁参数的检测值，确定所述第二电磁参数与第一电磁参数的变化关系，或者，根据第二电磁参数的检测值确定对应的第三电磁的检测值，根据第一电磁参数的各个观测值及对应的第三电磁参数的检测值，确定第三电磁参数与第一电磁参数的变化关系。通过本测试方法可以对SQUID器件进行温度控制、磁场调节，可以准确的监测到SQUID在低温超导态的周期震荡现象，且准确。
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公开(公告)号：CN112162223A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010844399.7
申请日：2020-08-20
IPC分类号： G01R33/035
摘要： 本申请涉及一种SQUID器件电磁参数测试方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取电磁参数测试的配置信息，根据第一电磁参数的配置信息确定第一电磁参数的各个观测值；采集在第一电磁参数的各个观测值下对应的第二电磁参数的检测值；根据第一电磁参数的各个观测值及对应的第二电磁参数的检测值，确定所述第二电磁参数与第一电磁参数的变化关系，或者，根据第二电磁参数的检测值确定对应的第三电磁的检测值，根据第一电磁参数的各个观测值及对应的第三电磁参数的检测值，确定第三电磁参数与第一电磁参数的变化关系。通过本测试方法可以对SQUID器件进行温度控制、磁场调节，可以准确的监测到SQUID在低温超导态的周期震荡现象，且准确。
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公开(公告)号：CN111856370B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010533473.3
申请日：2020-06-12
申请人： 中国计量科学研究院
IPC分类号： G01R35/00 , G01R33/035 , G05D23/30
摘要： 本申请提供了一种超导器件测试探杆，包括：测试杆本体、导热样品台以及温度测控模组。所述测试杆本体具有一个测试端。所述导热样品台与所述测试端固定连接。所述温度测控模组固定于所述导热样品台。所述温度测控模组用于测量并控制所述导热样品台的温度。本申请将所述导热样品台固定于所述测试杆本体的测试端，并将所述温度测控模组固定于所述导热样品台，利用所述导热样品台的良好导热性能，使得所述温度测控模组通过测量并控制所述导热样品台的温度，实现对待测超导器件的精确控温，从而保障了所述待测超导器件的测试效果。
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公开(公告)号：CN111856370A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010533473.3
申请日：2020-06-12
申请人： 中国计量科学研究院
IPC分类号： G01R35/00 , G01R33/035 , G05D23/30
摘要： 本申请提供了一种超导器件测试探杆，包括：测试杆本体、导热样品台以及温度测控模组。所述测试杆本体具有一个测试端。所述导热样品台与所述测试端固定连接。所述温度测控模组固定于所述导热样品台。所述温度测控模组用于测量并控制所述导热样品台的温度。本申请将所述导热样品台固定于所述测试杆本体的测试端，并将所述温度测控模组固定于所述导热样品台，利用所述导热样品台的良好导热性能，使得所述温度测控模组通过测量并控制所述导热样品台的温度，实现对待测超导器件的精确控温，从而保障了所述待测超导器件的测试效果。
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公开(公告)号：CN110098099B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810080253.2
申请日：2018-01-27
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要： 本发明涉及一种透射电镜微栅及透射电镜微栅的制备方法。所述透射电镜微栅包括一多孔氮化硅基底和一设置于多孔氮化硅基底表面的石墨烯层，所述多孔氮化硅基底具有多个通孔，所述石墨烯层覆盖所述多孔氮化硅基底的多个通孔并在所述多个通孔的位置悬空。所述透射电镜微栅的制备方法为利用一碳纳米管膜结构将一石墨烯层转移至一多孔氮化硅基底的表面，然后去除所述碳纳米管膜结构，从而得到一透射电镜微栅。
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公开(公告)号：CN110092351B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201810080254.7
申请日：2018-01-27
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要： 本发明涉及一种利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其具体包括以下步骤：提供一第一基底，该第一基底表面形成有二维纳米材料；将一碳纳米管膜结构覆盖于所述第一基底形成有二维纳米材料的表面；用腐蚀液去除所述第一基底，并将所述二维纳米材料与所述碳纳米管膜结构形成的二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构置于一清洗液清洗；提供一目标基底，利用所述目标基底从清洗液中捞起所述二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构，使所述目标基底与所述二维纳米材料贴合；去除所述碳纳米管膜结构，所述二维纳米材料转移至所述目标基底的表面。
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公开(公告)号：CN110092349B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201810080247.7
申请日：2018-01-27
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要： 本发明涉及一种悬空二维纳米材料的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二维纳米材料；将一碳纳米管膜结构覆盖于所述第一基底形成有二维纳米材料的表面；用腐蚀液去除所述第一基底，将所述二维纳米材料与所述碳纳米管膜结构形成的二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构置于一清洗液清洗；提供一目标基底，所述目标基底具有至少一个通孔，利用所述目标基底从清洗液中捞起所述二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构，使所述二维纳米材料与所述目标基底贴合并覆盖所述目标基底的至少一个通孔；去除所述碳纳米管膜结构，所述二维纳米材料转移至所述目标基底的表面，并在所述通孔的位置悬空。
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公开(公告)号：CN110098099A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810080253.2
申请日：2018-01-27
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要： 本发明涉及一种透射电镜微栅及透射电镜微栅的制备方法。所述透射电镜微栅包括一多孔氮化硅基底和一设置于多孔氮化硅基底表面的石墨烯层，所述多孔氮化硅基底具有多个通孔，所述石墨烯层覆盖所述多孔氮化硅基底的多个通孔并在所述多个通孔的位置悬空。所述透射电镜微栅的制备方法为利用一碳纳米管膜结构将一石墨烯层转移至一多孔氮化硅基底的表面，然后去除所述碳纳米管膜结构，从而得到一透射电镜微栅。
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公开(公告)号：CN110092351A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810080254.7
申请日：2018-01-27
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要： 本发明涉及一种利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其具体包括以下步骤：提供一第一基底，该第一基底表面形成有二维纳米材料；将一碳纳米管膜结构覆盖于所述第一基底形成有二维纳米材料的表面；用腐蚀液去除所述第一基底，并将所述二维纳米材料与所述碳纳米管膜结构形成的二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构置于一清洗液清洗；提供一目标基底，利用所述目标基底从清洗液中捞起所述二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构，使所述目标基底与所述二维纳米材料贴合；去除所述碳纳米管膜结构，所述二维纳米材料转移至所述目标基底的表面。
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公开(公告)号：CN110092350A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810080249.6
申请日：2018-01-27
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要： 本发明涉及一种利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其包括将一碳纳米管复合膜覆盖在一形成有二维纳米材料的基底的表面，去除所述基底后形成一二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构及将所述二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构转移至所述目标基底的表面，最后去除所述碳纳米管复合膜，从而实现二维纳米材料的转移。与现有技术相比，本发明提供的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，干净、不会引入其它杂质，转移后的二维纳米材料几乎无破损、完整度高。
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