一种三维锂金属负极及其制备方法、锂离子电池

    公开(公告)号:CN117154021A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311240199.0

    申请日:2023-09-25

    Inventor: 郭帅楠 王倩 王旭

    Abstract: 一种三维锂金属负极及其制备方法、锂离子电池,属于锂电池技术领域,克服现有技术中金属锂负极循环性能差的缺陷。本发明三维锂金属负极的制备方法,包括以下步骤:步骤1、将活性金属氧化物和炭负载在碳支撑层上,制得活性金属氧化物‑C/碳支撑层;步骤2、在活性金属氧化物‑C/碳支撑层上原位生长导电聚合物,制得导电聚合物‑活性金属氧化物‑C/碳支撑层;步骤3、将金属锂负载到导电聚合物‑活性金属氧化物‑C/碳支撑层上,制得所述三维锂金属负极。本发明三维金属锂负极可提高电池安全性和寿命。

    集成式光充电电容器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116230410A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310282862.7

    申请日:2023-03-17

    Abstract: 本发明涉及光电转换与能量储存技术领域,具体涉及一种集成式光充电电容器及其制备方法。该集成式光充电电容器包括光电转换单元和电容器单元,所述光电转换单元与所述电容器单元共用同一个共享电极;其中,所述共享电极包括第一电极基底,所述第一电极基底具有疏水面和亲水面,所述疏水面朝向所述光电转换单元,所述亲水面朝向所述电容器单元,且所述亲水面上负载有第一储能活性材料层。由于特定结构共享电极的使用,使得本发明的光充电电容器具有较高的光电转换效率、较强的稳定性、较好的倍率性能以及较高的循环稳定性。

    一种含二茂铁的液晶高分子单体、聚合物及其用途

    公开(公告)号:CN119371465A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411503989.8

    申请日:2024-10-25

    Abstract: 本发明涉及液晶高分子材料领域,具体公开了一种含二茂铁的液晶高分子单体、聚合物及其制备方法,本发明向n‑溴‑1‑n烷醇引入保护剂,与乙烯基对苯二甲酸反应,得到乙烯基对苯二甲酸衍生物;去除乙烯基对苯二甲酸衍生物的保护剂,与二茂铁甲酸进行酯化反应,得到含二茂铁的液晶高分子单体,再通过聚合得到含二茂铁的液晶高分子聚合物,该聚合物具有单体聚合完全、具备良好液晶性、热稳定性及电化学性能的优点,转化率高,分散度较窄,适用于工业生产,可应用于电极材料的制备。

    三维金属锂负极、其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119092634A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202410992067.1

    申请日:2024-07-23

    Abstract: 本发明属于锂电池技术领域,具体公开了一种三维金属锂负极及其制备方法和应,该负极制备时,以凯芙拉纤维为原料,用二甲基亚砜和氢氧化钾的混合液对其进行分散制备凯芙拉纤维分散液;然后将凯芙拉纤维分散液经过抽滤处理得到凯芙拉纤维薄膜,利用该薄膜为滤膜,将导电材料溶液倒入滤膜上过滤,后清洗滤膜得到凯芙拉纤维/导电复合膜;或者将凯芙拉纤维分散液与导电材料溶液混合均匀,抽滤处理得到凯芙拉纤维/导电复合膜;最后将金属锂电沉积到凯芙拉纤维/导电复合膜上,即得三维金属锂负极。该负极的凯芙拉纤维薄膜丰富的酰胺官能团能够在锂离子的嵌入/脱出过程中可以有效抑制锂枝晶的产生,提高电池安全性和寿命。

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