公开(公告)号：CN114203556A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111517362.4

申请日：2021-12-08

申请人： 中山大学

发明人： 卢星 ,  罗浩勋 ,  陈梓敏 ,  裴艳丽 ,  王钢

IPC分类号： H01L21/383 ,  H01L21/425

摘要： 本发明公开了一种用于调控氧化镓半导体表层电导的方法及半导体晶圆，涉及半导体电导调控技术。针对现有技术中表面电导控制困难的问题提出本方案，利用氟基离子对氧化镓晶圆的表层进行处理。优点在于，可以实现对氧化镓晶圆的表层电导有效调控，大幅度降低了氧化镓晶圆生长和器件制备过程中电导调控的工艺难度。使得在氧化镓晶圆上便于实现选区电导特性的调控，从而制备出有效的半导体器件。氟基气体安全性高，相对使用SiH4等危险气体的处理安全性极大提升。无论氧化镓晶圆在外延生长中是高阻态还是低阻态均能适用。可以在表面处理过程中使用掩膜遮挡的方式，从而解决了以往无法在水平方向上进行选区调控的限制。

公开(公告)号：CN114203556B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202111517362.4

申请日：2021-12-08

申请人： 中山大学

发明人： 卢星 ,  罗浩勋 ,  陈梓敏 ,  裴艳丽 ,  王钢

IPC分类号： H01L21/383 ,  H01L21/425

摘要： 本发明公开了一种用于调控氧化镓半导体表层电导的方法及半导体晶圆，涉及半导体电导调控技术。针对现有技术中表面电导控制困难的问题提出本方案，利用氟基离子对氧化镓晶圆的表层进行处理。优点在于，可以实现对氧化镓晶圆的表层电导有效调控，大幅度降低了氧化镓晶圆生长和器件制备过程中电导调控的工艺难度。使得在氧化镓晶圆上便于实现选区电导特性的调控，从而制备出有效的半导体器件。氟基气体安全性高，相对使用SiH4等危险气体的处理安全性极大提升。无论氧化镓晶圆在外延生长中是高阻态还是低阻态均能适用。可以在表面处理过程中使用掩膜遮挡的方式，从而解决了以往无法在水平方向上进行选区调控的限制。