具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN113782631A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111173825.X

    申请日:2021-10-09

    摘要: 本发明公开了一种具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池及其制备方法,它包括晶体硅衬底(1),其正反两面均沉积有非晶硅本征层(2),非晶硅本征层的外侧分别沉积有N‑型和P‑型掺杂非晶硅层,P‑型掺杂非晶硅层(4)外侧沉积有缓冲保护透明导电膜(5),缓冲保护透明导电膜和N‑型掺杂非晶硅层(3)的外侧沉积制备有透明导电层(6),透明导电层的外侧设有金属电极(7),制备方法包括:采用气相沉积法在P‑型掺杂非晶硅层上沉积缓冲保护透明导电膜,采用磁控溅射法在缓冲保护透明导电膜和N‑型非晶硅上沉积透明导电层。本发明极大地降低了低高能粒子对掺杂非晶硅层的轰击损伤,保护了异质结电池PN结性能,提升异质结太阳能电池性能。

    具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池

    公开(公告)号:CN216054740U

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202122421981.5

    申请日:2021-10-09

    摘要: 实用新型公开了一种具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池及其制备方法,它包括晶体硅衬底(1),其正反两面均沉积有非晶硅本征层(2),非晶硅本征层的外侧分别沉积有N‑型和P‑型掺杂非晶硅层,P‑型掺杂非晶硅层(4)外侧沉积有缓冲保护透明导电膜(5),缓冲保护透明导电膜和N‑型掺杂非晶硅层(3)的外侧沉积制备有透明导电层(6),透明导电层的外侧设有金属电极(7),制备方法包括:采用气相沉积法在P‑型掺杂非晶硅层上沉积缓冲保护透明导电膜,采用磁控溅射法在缓冲保护透明导电膜和N‑型非晶硅上沉积透明导电层。实用新型极大地降低了低高能粒子对掺杂非晶硅层的轰击损伤,保护了异质结电池PN结性能,提升异质结太阳能电池性能。

    一种低辐射镀膜生产线用破空装置

    公开(公告)号:CN206872939U

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201720817104.0

    申请日:2017-07-07

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 一种低辐射镀膜生产线用破空装置,其特征在于:包括供连接需破空的腔体的接口(1)、手动阀(2)、第一气动或电动或电磁阀(3)、过滤器(4)、第二气动或电动或电磁阀(5)、干燥压缩空气罐(6)以及连接管道;供连接需破空的腔体的接口(1)经连接管道连接手动阀(2)的一端,手动阀(2)的另一端经分为两路,其中一路经第一气动或电动或电磁阀(3)连接至过滤器(4)经过滤器(4)连通外界大气,而另一路经第二气动或电动或电磁阀(5)连接干燥压缩空气罐(6)。本实用新型工作原理简单,全自动化,方便安全,可以通过两种方式满足充气破空要求,同时还可以满足破空频率的不同要求,为低辐射镀膜生产线生产提供了保证。

    一种钢化后低颜色差异的单银低辐射膜玻璃

    公开(公告)号:CN208182861U

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201820516272.0

    申请日:2018-04-12

    IPC分类号: C03C17/36

    摘要: 本实用新型公开一种钢化后低颜色差异的单银低辐射膜玻璃,包括玻璃基底,玻璃基底顶面由下至上依次层叠有第一氮化硅层、第一镍铬层、银层、第二镍铬层与第二氮化硅层;第一氮化硅层的厚度为15~35nm、第一镍铬层的厚度为1.5~3nm、银层的厚度为9~15nm、第二镍铬层的厚度为1.5~5nm、第二氮化硅层的厚度为45~60nm;本实用新型合理搭配各膜层厚度,膜系结构合理,膜层稳定,钢化前后颜色变化小,太阳光下玻面反射色肉眼观察几乎完全相同,钢化前后产品可混用于同一工程;本实用新型只需采用常规靶材,利用磁控溅射工艺即可制备,成本低、工艺过程可控、稳定性高。

    一种低辐射镀膜生产线用同步带张紧装置

    公开(公告)号:CN208022912U

    公开(公告)日:2018-10-30

    申请号:CN201820266634.5

    申请日:2018-02-24

    IPC分类号: C03C17/00 C23C14/35 C23C14/56

    摘要: 一种低辐射镀膜生产线用同步带张紧装置,包括张紧轮(1)以及支架(2);其特征在于:所述支架(2)包括两根支撑杆(21)、第一连接杆(22)以及第二连接杆(23);所述张紧轮(1)转动支撑于两根支撑杆(21)之间,两根支撑杆(21)一端部之间以所述第一连接杆(22)固定连接,另一端部之间以所述第二连接杆(23)固定连接;并且,所述第一连接杆(22)上设螺纹孔(221)供穿设螺钉固定,所述第二连接杆(23)中部螺纹连接有一调整螺杆(234),该调整螺杆(234)的头部向下延伸作为抵压作用端。本实用新型结构简单,结实耐用,调节过程操作简单,可调节范围较大,皮带张紧效果好。

    一种低辐射镀膜生产线用真空管道连接器

    公开(公告)号:CN206988618U

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:CN201720822819.5

    申请日:2017-07-07

    IPC分类号: F16L21/06 F16J15/10

    摘要: 本实用新型涉及一种低辐射镀膜生产线用真空管道连接器,其特征在于:包括一外部保护环(1),该外部保护环(1)的开口处衬设有一接板(2);所述外部保护环(1)的轴向两端口边沿向内设有翻边(11),在该外部保护环(1)的轴向两端口的翻边(11)内侧各设有一开环状的齿环(3);部保护环(1)的内壁中部还设有一开环状的内衬板(4);外部保护环(1)的内壁上在内衬板(4)的两侧各设有一密封胶条(5);述外部保护环(1)的开口处的一端沿上朝向另一端沿设有一丝杆(6),外部保护环(1)的另一端沿上对应于丝杆(6)设有锁定槽口(7),丝杆(6)端部置于对应的锁定槽(7)后与一螺母(8)螺纹连接,本实用新型的真空管道连接器密封效果好,操作简单。

    一种低辐射镀膜生产线用橡胶密封圈检漏工具

    公开(公告)号:CN206876355U

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201720817103.6

    申请日:2017-07-07

    IPC分类号: G01M3/20

    摘要: 一种低辐射镀膜生产线用橡胶密封圈检漏工具,其特征在于:包括上压块(1)和下压块(2);上压块(1)的底面上设有凹槽(3),该凹槽(3)内设有至少一个圆形凸台(4),圆形凸台上设有抽气孔(5),该抽气孔(5)直通上压块(1)的顶面,在上压块(1)的顶面上抽气孔(5)端部处连接设置密封接头(6);下压块(2)的顶面上设有至少一个供嵌设被检橡胶密封圈的环形定位槽(7);上压块(1)的底面或/和下压块(2)的顶面上开设氦气通入槽(8)。本实用新型结构简单,对橡胶密封条直接检漏,操作简单,防止有损坏的橡胶密封圈应用到设备上,大大节约检漏时间,避免不必要的人工和时间浪费。

    一种真空腔体法兰密封面处理装置

    公开(公告)号:CN208179159U

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201820515762.9

    申请日:2018-04-12

    IPC分类号: B24B7/24

    摘要: 本实用新型公开一种真空腔体法兰密封面处理装置,包括旋转连杆,旋转连杆的一端沿轴向由外向内依次套设有定位板与打磨板,旋转连杆的另一端用于连接手枪钻;所述定位板与打磨板均为圆形,定位板与打磨板构成阶梯状;所述定位板能够与法兰内腔形成配合,定位板与打磨板之间还夹设有砂纸,砂纸与打磨板的板面尺寸相适应,通过打磨板使砂纸能够与法兰密封面形成配合;启动手枪钻后,旋转连杆转动,进而使砂纸旋转对法兰密封面进行打磨,操作十分方便快捷;且打磨时只有轴向的压力,能避免人工打磨造成的纹路不一致、表面粗糙度不符合要求的问题。

    一种低辐射镀膜生产线用冷却铜排检漏装置

    公开(公告)号:CN208026440U

    公开(公告)日:2018-10-30

    申请号:CN201820425519.8

    申请日:2018-03-28

    IPC分类号: G01M3/22

    摘要: 一种低辐射镀膜生产线用冷却铜排检漏装置,其特征在于:包括一支架(1),在该支架(1)上设一真空管(2),该真空管(2)一端作为铜排置入端口(21);真空管(3)的内腔中沿真空管(2)的长度方向安置有一冷却铜排固定板(7),该冷却铜排固定板(7)的上表面上用于安放固定冷却铜排(8),其下表面上间隔设置至少两个滑动支撑块(9);滑动支撑块(9)上表面与铜排固定板(7)底面贴合固定连接,而滑动支撑块(9)的下表面为与真空管(2)的内表面匹配并贴合的弧面,即所述冷却铜排固定板(7)是经所述滑动支撑块(9)搁置于真空管(2)内。