公开(公告)号：CN118726944A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310323441.4

申请日：2023-03-29

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 杨闰清 ,  韩子迦 ,  许灿

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种气源供给系统及化学气相沉积设备，防止气体泄漏的气源供给系统包括反应物存储装置、第一箱体、第二箱体和反应物输出管道；所述反应物存储装置套设于所述第一箱体内，所述第一箱体内的压力为正压；所述第一箱体套设于所述第二箱体内，所述第二箱体内的压力为负压；所述反应物输出管道的一端与所述反应物存储装置连通，所述反应物输出管道的另一端作为所述气源供给系统的输出端。本发明的气源供给系统采用“多箱体”结构，通过设置内外压力差，能够有效防止气体泄漏，提升操作和环境安全性。

公开(公告)号：CN118256895A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211677688.8

申请日：2022-12-26

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 杨闰清 ,  韩子迦 ,  许灿

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  C23C16/448

摘要： 本发明提供一种化学气相沉积设备，包括一腔体，腔体内包括用于支撑待处理基片，腔体顶部包括一用于扩散反应气体的顶盖，一反应气体供气系统输送多种反应气体到所述顶盖。所述反应气体供气系统包括一汽化腔，所述汽化腔外具有第一加热器，使得汽化腔具有第一温度，汽化腔内的反应物被加热后变为第一反应气体输出；所述汽化腔产生的第一反应气体通过第一气体供气通路向所述顶盖供气，其中第一供气通路包括多个元器件，所述多个元器件包括依次排列的流量控制器、缓冲腔、阀门和连接在所述流量控制器、缓冲腔、阀门之间的多个供气管道。其中所述各个元器件的温度呈阶梯式组件增加，以防止第一反应气体冷凝。