一种电镀生产线控制系统及控制方法

    公开(公告)号:CN108829068A

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201810873646.9

    申请日:2018-08-02

    IPC分类号: G05B19/418

    摘要: 本发明公开一种电镀生产线控制系统及控制方法,包括工控机、交换机、控制器、激光测距装置、检测传感器及执行机构;控制器接收工控机中不同电镀生产工艺流程指令进行调节并执行,还用于接收激光测距装置采集的行车位置信号及检测传感器采集的性能参数信号,进行综合处理运算,以确定工位中心位置、计算出工位两侧减速位置及减速区域,并将激光测距装置传来的数据进行处理转换与目标数据进行比较,从而对行车运动的方向进行判定并控制。该系统能够适用于不同情况下工艺流程的任意调节,同时满足现在既有的功能。

    一种制备InGaN/AlGaN MQW紫光LED的方法

    公开(公告)号:CN106206880B

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201610793902.4

    申请日:2016-08-31

    IPC分类号: H01L33/00

    摘要: 本发明公开了一种制备高性能InGaN/AlGaN MQW紫光LED的方法,分别以蓝氨、高纯三甲基铟以及高纯三甲基镓为N、In、Ga源,分别以SiH4和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂,包括如下步骤:1、氮化氮化蓝宝石、SiC或Si衬底;2、生长缓冲层并使缓冲层结晶后,再生长uGaN成核层;3、先生长低Si掺杂的n‑GaN层,再生长高Si掺杂的n+GaN层;4、生长n‑AlGaN层,5、生长Si掺杂的n+GaN层,再生长不掺Si的nGaN层;6、生长3个周期的不掺杂Al的InGaN/GaN超晶格,再生长8个周期Al掺杂的InGaN/AlGaN;7、生长PAlGaN层;8、生长Mg掺杂的P+GaN层;9、生长高Mg掺杂的P++GaN层;本发明利用LP MOCVD系统生长特定结构的InGaN/AlGaN MQW紫光LED外延片,具有制备成本低、节约时间且制备的紫外光LED性能好,推进了紫光LED外延的产业化。

    一种吸水箱变频抽真空环保装置

    公开(公告)号:CN107151936A

    公开(公告)日:2017-09-12

    申请号:CN201710419683.8

    申请日:2017-06-06

    IPC分类号: D21F1/48 F17D1/00

    CPC分类号: D21F1/48 F17D1/00

    摘要: 本发明公开了一种吸水箱变频抽真空环保装置,包括过滤装置、变频罗茨真空装置、压力平衡阀和消音器,过滤装置的一端通过吸气管路连接托辊机,另一端通过阀门与设置在所述变频罗茨真空装置进气口的微量喷淋喷咀连接,所述变频罗茨真空装置的排气口通过所述压力平衡阀连接有用于降低噪音的消音器,所述过滤装置、变频罗茨真空装置、压力平衡阀和消音器均设置在能够吸收基频谐波的静音机箱内构成一体化环保装置。本发明静音机箱能降低装置瞬间的震动幅度,实现降噪到72分贝以下,变频罗茨真空装置抽速快,不易受环境温度影响,可加快吸水箱抽真空速度;所述装置抽速最大的特点,提高了工作效率,装机功率可降到传统设备的50‑60%,环保节能。

    一种多晶硅半熔铸锭用高温长晶工艺

    公开(公告)号:CN106191995A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610653489.1

    申请日:2016-08-10

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    CPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭用高温长晶工艺,其特征在于,将铸锭炉从室温加热到1550~1555℃,熔化后期测量留底籽晶厚度,调整顶部和侧部加热器功率比,通过慢熔确保底部籽晶不被熔化,当熔化完成后,调整顶部和侧部加热器功率比,降低到1440~1445℃开始进行定向凝固并进入长晶过程,在长晶的过程中温度由1440~1445℃降低到1400~1405℃,完成长晶过程。本发明方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好,能对多晶硅铸锭长晶过程进行合理控制,并有效提高多晶硅铸锭质量。

    一种垂直结构LED紫光外延结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN106129197A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201610795432.5

    申请日:2016-08-31

    IPC分类号: H01L33/00 H01L33/12 H01L33/32

    摘要: 本发明公开了一种垂直结构LED紫光外延结构及其制备方法,分别以氨气、高纯三甲基铟(TMIn)、TMAl、TEGa、以及高纯三甲基镓(TMGa)为源,分别以SiH4和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂,以氢气或氮气为载气,通入反应室与氨气在900~1100℃发生化学反应,生成Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体,在蓝宝石、硅片、碳化硅片或石英玻璃片上按一定的晶格次序沉积,制成外延结构。可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等,生长速率调节范围较广,较快的生长速率能够适用于批量生长。

    一种工件自动喷码装置及方法

    公开(公告)号:CN112622441A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202011511487.1

    申请日:2020-12-18

    摘要: 本发明公开了一种工件自动喷码装置及方法,装置包括喷码单元、升降单元、机架和输送线单元;升降单元设置在机架上,升降单元用于支撑工件,输送线单元设置在喷码单元的正上方,用于吊装工件;喷码单元设置在机架上,喷码单元用于对工件进行喷码;通过输送线单元便于进行工件的输送,升降单元对喷码过程中的工件进行支撑固定,设置两个相对滑动的滑座,在滑座上设置有合围形成的环形导轨和齿轮圈,方便大型工件进出喷码单元,并且喷码头通过齿轮圈在环形导轨上移动,方便喷码头旋转进行喷码,通过采用第一半齿圈和第二半齿圈合围形成齿轮圈,第二扇形导轨和第一扇形导轨合围形成环形导轨,保证了喷码质量的稳定性和一致性。