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公开(公告)号：CN118324148A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410324545.1
申请日：2024-03-21
申请人： 中触媒新材料股份有限公司
IPC分类号： C01B33/18
摘要： 本发明公开了一种高纯氧化硅的焙烧方法，属于合成高纯氧化硅制备相关技术领域。该方法一定流速通入焙烧气体营造扰动环境，使氧化硅与焙烧气体之间充分接触，从而使残留的有机物能够充分燃烧，有效去除残碳。采用两步置换的方式充分去除二氧化硅孔隙中残留的氧气，并以密度较低的氦气替换孔隙中的氧气。进一步，采用真空环境进行高温焙烧，在排出二氧化硅孔隙中剩余气体后使二氧化硅颗粒中的孔隙关闭。为了避免冷却过程中再次引入水或者其他气体、杂质，本发明采用先在真空环境冷却至一定温度后再通入惰性气体氦气冷却至室温，得到高纯度、高品质合成氧化硅。
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公开(公告)号：CN118324147B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410758108.0
申请日：2024-06-13
申请人： 中触媒新材料股份有限公司
IPC分类号： C01B33/157 , C01B33/158
摘要： 一种制备球形二氧化硅颗粒的方法，属于二氧化硅合成方法技术领域。该方法填补了合成二氧化硅球形度调整工艺技术的空白，将球磨工艺引入二氧化硅的制备过程，通过添加特殊配比的磨球能够获得球形度较高的二氧化硅颗粒。本发明的另一个技术点是在球磨过程中添加特殊组成的助磨剂，通过助磨剂进一步调节二氧化硅的球形度和粒度。
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公开(公告)号：CN118324147A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410758108.0
申请日：2024-06-13
申请人： 中触媒新材料股份有限公司
IPC分类号： C01B33/157 , C01B33/158
摘要： 一种制备球形二氧化硅颗粒的方法，属于二氧化硅合成方法技术领域。该方法填补了合成二氧化硅球形度调整工艺技术的空白，将球磨工艺引入二氧化硅的制备过程，通过添加特殊配比的磨球能够获得球形度较高的二氧化硅颗粒。本发明的另一个技术点是在球磨过程中添加特殊组成的助磨剂，通过助磨剂进一步调节二氧化硅的球形度和粒度。
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公开(公告)号：CN118129416A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410324543.2
申请日：2024-03-21
申请人： 中触媒新材料股份有限公司
摘要： 一种高纯氧化硅干燥方法，属于二氧化硅制备工艺技术领域。该方法通过旋转真空干燥配合间歇式的超声作用能够有效回收烷氧基硅烷水解过程中产生的有机醇，有效降低硅溶胶中残留的有机醇量。进一步通过真空超声干燥，将真空与超声波配合，避免干燥过程中引入其它杂质，通过超声波的强声波作用促进残留在二氧化硅孔隙或者内部的气体、水分以及高沸点有机物杂质排出，能够有效降低干燥后二氧化硅固体中包裹的杂质含量，达到充分干燥二氧化硅的同时提高二氧化硅产品的纯度。
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公开(公告)号：CN118419944A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410579440.0
申请日：2024-05-11
申请人： 中触媒新材料股份有限公司
IPC分类号： C01B33/157 , C01B33/152 , C01B33/158
摘要： 一种高软化点氧化硅的合成方法，属于二氧化硅制备工艺技术领域。该方法通过在合成石英砂的过程中添加少量钛化合物和/或锆化合物，显著提高了合成石英砂的致密度和软化点，特别是对于同时添加钛化合物和锆化合物的石英砂，具有更为优异的软化点和致密性。
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公开(公告)号：CN118324149A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410324547.0
申请日：2024-03-21
申请人： 中触媒新材料股份有限公司
IPC分类号： C01B33/18
摘要： 一种提高高纯氧化硅粒度均匀性的方法，属于合成高纯氧化硅制备方法技术领域。该提高高纯氧化硅粒度均匀性的方法通过真空冷冻方法得到粒度分布均匀的高纯氧化硅，提供的两种可行真空冷冻方案均在低温下进行干燥解决了传统加热干燥方式导致硅凝胶板结，破碎困难，以及破碎后高纯氧化硅粒度区间分布较大的问题。同时，真空低温环境还能有效避免加热干燥引入新杂质导致焙烧后高纯氧化硅纯度降低的问题。
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