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公开(公告)号：CN117169293B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311433819.2
申请日：2023-11-01
Applicant: 之江实验室
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种MOS基气敏材料及其制备方法和应用。所述MOS基气敏材料的制备方法按照如下步骤进行：步骤1：将目标MOS前驱体盐或者目标MOS前驱体盐和贵金属源溶解于极性溶剂中，形成均一溶液；再加入高分子聚合物在20~60℃环境下搅拌5~20小时形成均匀溶胶；步骤2：将得到的溶胶刮涂到硅油纸上成膜，然后迅速干燥；步骤3：将干燥的薄膜从硅油纸上揭下，研磨后置于马弗炉中分段煅烧，得到MOS基气敏材料。本发明提供的MOS基气敏材料可用于检测挥发性有机化合物中。本发明提供的MOS基气敏材料的制备方法提高了制备的样品的均一性，同时具有高重现性、高生产效率和高普适性。
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公开(公告)号：CN116359451B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310638360.3
申请日：2023-06-01
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提供了一种用于检测氮氧化物的气敏材料、制备方法、元件及应用，该方法将传统气敏材料SnO2与光敏性较好的CsPbBr3、CsPbI3复合，利用CsPbBr3、CsPbI3在光照条件下可产生大量光生载流子的特点，在光照条件下增加SnO2表面的载流子数量，促进材料表面气敏反应的发生，从而提高SnO2检测氮氧化物的气敏性能。本发明使用低成本的化学原料、简便的制备方法合成了灵敏度高、检测限低、氮氧化物气敏材料，本方法原料利用率高、排放低、耗时短，本发明制备的传感器件成本低廉、方便携带，适合现场检测。
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公开(公告)号：CN117169293A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311433819.2
申请日：2023-11-01
Applicant: 之江实验室
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种MOS基气敏材料及其制备方法和应用。所述MOS基气敏材料的制备方法按照如下步骤进行：步骤1：将目标MOS前驱体盐或者目标MOS前驱体盐和贵金属源溶解于极性溶剂中，形成均一溶液；再加入高分子聚合物在20~60℃环境下搅拌5~20小时形成均匀溶胶；步骤2：将得到的溶胶刮涂到硅油纸上成膜，然后迅速干燥；步骤3：将干燥的薄膜从硅油纸上揭下，研磨后置于马弗炉中分段煅烧，得到MOS基气敏材料。本发明提供的MOS基气敏材料可用于检测挥发性有机化合物中。本发明提供的MOS基气敏材料的制备方法提高了制备的样品的均一性，同时具有高重现性、高生产效率和高普适性。
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公开(公告)号：CN116359451A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310638360.3
申请日：2023-06-01
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提供了一种用于检测氮氧化物的气敏材料、制备方法、元件及应用，该方法将传统气敏材料SnO2与光敏性较好的CsPbBr3、CsPbI3复合，利用CsPbBr3、CsPbI3在光照条件下可产生大量光生载流子的特点，在光照条件下增加SnO2表面的载流子数量，促进材料表面气敏反应的发生，从而提高SnO2检测氮氧化物的气敏性能。本发明使用低成本的化学原料、简便的制备方法合成了灵敏度高、检测限低、氮氧化物气敏材料，本方法原料利用率高、排放低、耗时短，本发明制备的传感器件成本低廉、方便携带，适合现场检测。
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