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发明公开
端面耦合器、光电子芯片和端面耦合器的制作方法有权

公开(公告)号：CN115598764A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211498170.8

申请日：2022-11-28

申请人： 之江实验室(CN)

发明人： 王震 , 张磊 , 张瑾 , 储涛

IPC分类号： G02B6/10 , G02B6/24

摘要： 本发明涉及一种端面耦合器、光电子芯片和端面耦合器的制作方法。端面耦合器用于耦合光纤，其包括波导、第一包覆单元和支撑层。波导用于传导光信号；第一包覆单元开设有贯穿的空气槽，将第一包覆单元分割为中心部分和外围部分；支撑层设置于第一包覆单元的下方，其等效折射率小于第一包覆单元的折射率。在上述结构中，采用等效折射率较小的支撑层结构，避免折射率大于中心部分的衬底层与包裹有波导的中心部分接触，从而减少或者避免光信号向衬底层中泄露，有利于提升光纤中的光信号到光电子芯片的耦合效率。同时，可保证端面耦合器的结构强度。