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发明公开
一种砂磨工艺制备蒸镀用低密度ITO靶材的方法无效

公开(公告)号：CN115959897A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211473793.X

申请日：2022-11-22

Applicant: 九天智能科技(宁夏)有限公司 , 江苏莱希海姆科技有限公司

Inventor： 杨杰 , 左宁伟 , 杨龙

IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/626 , C23C14/08 , C23C14/24

Abstract: 本发明公开了一种砂磨工艺制备蒸镀用低密度ITO靶材的方法，包括：将粒径D50为0.1～0.5um的氧化铟与氧化锡粉末混合均匀；对混合粉末进行煅烧；对煅烧后的粉末制浆，并将浆料、粘结剂加入砂磨机中进行砂磨；对砂磨后的浆料进行喷雾干燥，造粒；将造粒后的粉末进行冷压成型，得到冷压素坯；将冷压素坯进行脱脂；将脱脂后的冷压素坯置于氧气气氛下进行常压烧结，得到蒸镀用低密度ITO靶材。本发明可获得晶粒尺寸均匀、体电阻率低的蒸镀用低密度ITO靶材，其相对密度为55～65％；制得的低密度ITO靶材在蒸镀使用时不易开裂且靶材利用率高，并在蒸镀后可获得均匀的低电阻率、高透光率的导电薄膜。

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