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公开(公告)号：CN115323474A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210927903.9
申请日：2022-08-03
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司 , 东莞东阳光科研发有限公司
IPC分类号： C25F3/04
摘要： 本发明提供了一种制备腐蚀箔的发孔腐蚀的处理方法及其应用。所述发孔腐蚀的方法包括以下步骤：S1.将前处理后的铝箔放入发孔溶液中进行第一级发孔，并施加第一衰减式电流；S2.当电流密度衰减至i0的10～20％时，断开电流，将铝箔放入中处理液中进行中处理；S3.将中处理后的铝箔放入发孔溶液中进行第二级发孔，并施加第二衰减式电流，初始电流的电流密度为i0的10～20％；S4.将处理后的铝箔依次重复S1.～S3.，重复次数至少为3次；其中，所述中处理液为含有1wt～5wt％的磷酸和0.005wt～0.06wt％的添加剂的溶液。所述处理方法可以改善后续腐蚀工艺中无效孔洞堵塞，并减少短孔数量，制备得到的腐蚀箔具有较高比容、拉力和折弯性能，同时腐蚀箔孔洞均匀性提高。
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公开(公告)号：CN114411232B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210086922.3
申请日：2022-01-25
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种软态低压腐蚀箔的制备方法。本发明的软态低压腐蚀箔的制备方法的深度腐蚀为交流电腐蚀，所述交流电波形包括镜像分布的正半周期与负半周期，所述正半周期和负半周期由两个或两个以上具有相同波形、振幅和施加时间的第一半波(1)构成，且两个第一半波(1)之间存在间隔时间，所述正半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第二半波(2)构成，所述负半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第三半波(3)构成。本发明所制备的软态低压腐蚀箔具备高容量、腐蚀孔层均匀、夹心层平整和优异的折弯性能。
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公开(公告)号：CN114999826A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210675209.2
申请日：2022-06-15
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种制备高比容低压化成箔的预处理方法及其应用。所述预处理方法通过将铝箔至于预处理液中浸泡，所述预处理液包含以下浓度的组分：0.01～0.5g/L三乙醇胺，0.01～0.5g/L的有机弱酸；所述浸泡的时间不低于10s。所述预处理方法再铝箔表面形成了微量的胺化铝，可以提高氧化铝的介电常数，可以使得预处理后的铝箔经腐蚀化成后的比容增大；有机弱酸起到中和作用，避免产生氢氧化铝造成孔洞堵塞，降低比容的问题。采用该工艺后制得的低压化成箔的比容较高，性能较好。
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公开(公告)号：CN115110130B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202210763677.5
申请日：2022-06-30
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种无磷低压化成箔的化成方法及制得的化成箔。所述化成方法，包括如下步骤：S1.将铝箔置于己二酸盐水溶液中进行第一级化成、第一次水洗；S2.将S1.中第一次水洗后的铝箔置于1～8wt.％硅酸盐水溶液中进行钝化处理，再进行热处理、第二次水洗；S3.将S2.中第二次水洗后的铝箔置于化成液中进行第二级化成、第三次水洗、烘干得无磷低压化成箔；所述化成液包含以下浓度的组分：0.2～1.5wt.％硅酸盐和0.2～1.5wt.％有机酸水溶液。所述化成方法采用硅酸盐钝化处理再进行热处理，最后采用硅酸盐和有机酸的混合液进行化成，可以替代常规含磷的化成方法，所述化成方法更加环保；且制得的无磷低压化成箔性能优良。
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公开(公告)号：CN115477411B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202211009674.9
申请日：2022-08-22
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
IPC分类号： C02F1/66 , C02F1/00 , C02F101/20 , C02F101/10
摘要： 本发明公开了一种同时处理高低浓度电极箔硫酸废液的处理方法，包括以下步骤：S1：用石灰乳中和废硫酸A，过滤得中和渣；S2：用废硫酸B溶解中和渣，过滤，得到硫酸铝溶液和粗硫酸钙；S3：粗硫酸钙加水清洗，过滤得到石膏和滤液；S4：对滤液重复步骤S1～S3多次，直至滤液水质符合标准，进行排放；废硫酸A中：铝离子的浓度为0.20～0.50mol/L，硫酸根的浓度为0.80～1.25mol//L；废硫酸B中：铝离子的浓度为0.40～0.70mol/L，硫酸根的浓度为3.70～4.50mol/L。本发明的方法能同时处理不同浓度的硫酸废液，还能产出硫酸铝和石膏，具有显著的经济效益和环境效益。
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公开(公告)号：CN115110130A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210763677.5
申请日：2022-06-30
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种无磷低压化成箔的化成方法及制得的化成箔。所述化成方法，包括如下步骤：S1.将铝箔置于己二酸盐水溶液中进行第一级化成、第一次水洗；S2.将S1.中第一次水洗后的铝箔置于1～8wt.％硅酸盐水溶液中进行钝化处理，再进行热处理、第二次水洗；S3.将S2.中第二次水洗后的铝箔置于化成液中进行第二级化成、第三次水洗、烘干得无磷低压化成箔；所述化成液包含以下浓度的组分：0.2～1.5wt.％硅酸盐和0.2～1.5wt.％有机酸水溶液。所述化成方法采用硅酸盐钝化处理再进行热处理，最后采用硅酸盐和有机酸的混合液进行化成，可以替代常规含磷的化成方法，所述化成方法更加环保；且制得的无磷低压化成箔性能优良。
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公开(公告)号：CN114411232A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210086922.3
申请日：2022-01-25
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种软态低压腐蚀箔的制备方法。本发明的软态低压腐蚀箔的制备方法的深度腐蚀为交流电腐蚀，所述交流电波形包括镜像分布的正半周期与负半周期，所述正半周期和负半周期由两个或两个以上具有相同波形、振幅和施加时间的第一半波(1)构成，且两个第一半波(1)之间存在间隔时间，所述正半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第二半波(2)构成，所述负半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第三半波(3)构成。本发明所制备的软态低压腐蚀箔具备高容量、腐蚀孔层均匀、夹心层平整和优异的折弯性能。
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公开(公告)号：CN114059145A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111408713.8
申请日：2021-11-24
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用。本发明的制备方法包括预处理、近场直写、布孔腐蚀、中处理、深度生长腐蚀、后处理和热处理步骤，所述近场直写步骤的具体操作为：将熔融态的非水溶性聚合物在铝箔两面进行对称直写处理，得到若干条平行或交叉线条组成的平面图案；所述图案线条之间距离为20～200μm，图案线条宽度为0.5～1000μm。本发明所制备的低压腐蚀箔具有连续贯穿结构的夹心铝层，使其具有较高比容的同时显著提升了折弯性能，折弯强度达到85～99回，同时改善了正负极引线与低压腐蚀箔的有效接触面积，进而减小接触电阻，减少发热和击穿等现象的发生。
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公开(公告)号：CN114059145B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111408713.8
申请日：2021-11-24
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用。本发明的制备方法包括预处理、近场直写、布孔腐蚀、中处理、深度生长腐蚀、后处理和热处理步骤，所述近场直写步骤的具体操作为：将熔融态的非水溶性聚合物在铝箔两面进行对称直写处理，得到若干条平行或交叉线条组成的平面图案；所述图案线条之间距离为20～200μm，图案线条宽度为0.5～1000μm。本发明所制备的低压腐蚀箔具有连续贯穿结构的夹心铝层，使其具有较高比容的同时显著提升了折弯性能，折弯强度达到85～99回，同时改善了正负极引线与低压腐蚀箔的有效接触面积，进而减小接触电阻，减少发热和击穿等现象的发生。
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公开(公告)号：CN114164481B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111342793.1
申请日：2021-11-12
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法，所述发孔腐蚀方法为将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀；所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4～0.8A/cm2；所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05～0.25A/cm2；所述发孔腐蚀总时间为95～170s，其中第一次小电流腐蚀时间为15～50s；所述腐蚀液中盐酸浓度为2～5wt.％，硫酸浓度为25～35wt.％，铝离子浓度为0.3～0.6mol/L，所述腐蚀液温度为65～75℃。本发明在大电流腐蚀后或大电流腐蚀进行时增加小电流腐蚀，可在基本不新增点蚀孔的情况下小幅扩大和深入发孔孔洞，有利于后续扩孔腐蚀孔洞深入和扩孔的一致性，减少无效小孔对中高压腐蚀箔静电容量的不利影响，提高了制备得到的腐蚀箔的静电容量。
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