公开(公告)号：CN101555010A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200810091441.1

申请日：2008-04-12

申请人： 于旭宏

发明人： (请求不公开姓名)

IPC分类号： C01B31/36 ,  C01B33/027

摘要： 本发明涉及一种碳化硅。该碳化硅的第五号元素杂质含量在特定的范围内，并给出了该碳化硅的碳热还原法、提纯法生产方法和工业上作为还原剂的用途。

公开(公告)号：CN101555011A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200810091442.6

申请日：2008-04-12

申请人： 于旭宏

发明人： (请求不公开姓名)

IPC分类号： C01B33/023

摘要： 本发明涉及将硅石还原获得硅的工业生产方法。利用杂质含量受到控制的含碳质素的还原剂在高温下还原杂质含量受到控制的硅石，可以生产出杂质如铁、铝、钙、锰等符合一定要求的不同用途的硅原料，包括硅铁，金属硅，化学用硅等。