公开(公告)号：CN1730379A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200510010985.7

申请日：2005-08-29

Applicant: 云南大学

Inventor： 张晋 ,  朱念麟 ,  陈尔纲 ,  普小云 ,  王光灿 ,  柏晗 ,  张茜 ,  窦菊英

IPC: B82B3/00 ,  G12B21/00

Abstract: 一种用扫描电镜制作表面纳米阵列的方法，该方法是在数字式扫描电镜的阴极自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器，它由倍频电路、压控振荡器、升压变压器、整流电路和传统自偏压电阻组成，其内阻远小于自偏压电阻；用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为控制信号，经倍频和放大加到栅极上，控制电子束的通断，使电子束由连续扫描变为规则的点、线扫描，不需用模板即可在涂有电子束光刻胶的样品上实现点、线曝光，形成周期性纳米孔或纳米线阵列。本发明用数字式扫描电镜替代电子束光刻机，以“直写”的方式直接进行电子束刻蚀，既降低用电子束光刻制作纳米阵列的成本，又提高其效率及分辨率。

公开(公告)号：CN100471787C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200510010985.7

申请日：2005-08-29

Applicant: 云南大学

Inventor： 张晋 ,  朱念麟 ,  陈尔纲 ,  普小云 ,  王光灿 ,  柏晗 ,  张茜 ,  窦菊英

IPC: B82B3/00 ,  G12B21/00

Abstract: 一种用扫描电镜制作表面纳米阵列的方法，该方法是在数字式扫描电镜的阴极自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器，它由倍频电路、压控振荡器、升压变压器、整流电路和传统自偏压电阻组成，其内阻远小于自偏压电阻；用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为控制信号，经倍频和放大加到栅极上，控制电子束的通断，使电子束由连续扫描变为规则的点、线扫描，不需用模板即可在涂有电子束光刻胶的样品上实现点、线曝光，形成周期性纳米孔或纳米线阵列。本发明用数字式扫描电镜替代电子束光刻机，以“直写”的方式直接进行电子束刻蚀，既降低用电子束光刻制作纳米阵列的成本，又提高其效率及分辨率。