一种大棚盆栽冷水花栽培方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115669472A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211375979.1

    申请日:2022-11-04

    摘要: 本发明涉及一种大棚盆栽冷水花栽培方法,属于植物栽培技术领域,本发明包括以下步骤:大棚盆栽冷水花栽培方法采用品氏土:珍珠岩:蛭石=2:1:1的营养基质,取冷水花茎尖和冷水花中下段作为插穗,取插穗时剪口在枝条的结节下方1厘米,剪口为上平下斜,下端斜剪,每根插穗取长7厘米至9厘米,保留插穗2‑4片叶,再将每一片叶片的2/3剪去,再将处理后的插穗切口下端在浓度250mg/L的生根剂中蘸根10秒钟后扦插到花盆内,定植盆栽放置在大棚中并向基质表面喷雾,然后在花盆上方覆盖遮阳网,每月底对插穗进行一次施肥。本发明可提高冷水花的繁殖速度和质量,成型时间快,生长周期短,植株长势好,使冷水花具有很好的观赏性,有利于满足市场需求。