公开(公告)号：CN117733168A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311669319.9

申请日：2023-12-07

申请人： 云南贵金属实验室有限公司 ,  贵研铂业股份有限公司

发明人： 巢云秀 ,  陈大钊 ,  刘子其 ,  闻明 ,  周利民 ,  李思勰 ,  普志辉 ,  黄通 ,  何云帅 ,  朱武勋

IPC分类号： B22F9/24 ,  B22F1/145 ,  B22F1/142 ,  C22B7/00 ,  C22B11/00 ,  B22F1/065

摘要： 本发明公开了一种从玫瑰金残靶及其镀件废料回收制备高纯金粉的方法，包括如下步骤：(1)玫瑰金残靶及其镀件废料预处理；(2)造液；(3)金选择性还原；(4)酸洗除杂；(5)煅烧。通过本发明可实现玫瑰金残靶及其镀件废料中回收制备高纯金粉，金的直收率＞99.5％，本发明的工艺流程简单，粉末形貌为球形，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，可用作电子行业用高纯金及其合金靶材原料。

公开(公告)号：CN118516627A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410555866.2

申请日：2024-05-07

申请人： 贵研先进新材料(上海)有限公司 ,  云南贵金属实验室有限公司 ,  云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司

发明人： 沈月 ,  闻明 ,  王传军 ,  普志辉 ,  黄通 ,  李思勰 ,  唐可 ,  彭海 ,  许彦亭 ,  黎林根

IPC分类号： C22F1/04 ,  C23C14/34 ,  H01L21/768 ,  G01N29/06 ,  G01N23/2251

摘要： 本发明公开了一种高纯铝硅铜靶材及其制备方法与应用，属于集成电路互连线用溅射靶材技术领域。本发明制备方法包括：S1：均匀化退火；S2：多向锻造；S3：一次C‑scan检测；S4：固溶处理；S5：纵横交替冷轧；S6：二次C‑scan检测；S7：再结晶退火；S8：粗加工、绑定、精加工、表面处理及清洗。通过多向锻造以及纵横交替冷轧，明确锻造及轧制的方向性，通过各方向轮换反复塑性变形，使高纯铝硅铜内部组织受力更加均匀，晶粒细化效果更佳；通过固溶处理使高纯铝硅铜内部析出相呈弥散分布状态；再通过C‑scan检测，对坯料进行更加全面的检测判定，从而保障最终获得的高纯铝硅铜靶材合格率保持在较高范围内，提升最终制备的高纯铝硅铜靶材的质量。