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公开(公告)号：CN111910086A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010755349.1
申请日：2020-07-31
申请人： 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心 , 上海大学
摘要： 本发明公开了一种制备超纯铟的顶端自吸式垂直区熔提纯装置与方法，该装置包括真空腔体，设于该真空腔体内的垂直区熔系统及上端的自吸系统；将装有4N/5N级铟原料的石英管安装至垂直区熔系统中，分别设置加热温度、冷阱温度，并通过导杆带动石英管上下移动，进行多道次垂直区熔，每循环进行n(n＝5-10)道次垂直区熔提纯后，将石英管内顶端试样10％-20％体积分数的铟金属熔化，通过自吸系统吸出。随后补充质量相同的铟原材料。完成3个循环共计3n次垂直区熔提纯过程后，取出并截取石英管两端各5％-15％体积分数的试样，剩余中间区域试样进行重熔制样。本发明通过顶端自吸式垂直区熔装置与方法，能够实现6N级及以上不同等级纯度的超纯铟产品高效稳定生产。
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公开(公告)号：CN111910086B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010755349.1
申请日：2020-07-31
申请人： 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心 , 上海大学
摘要： 本发明公开了一种制备超纯铟的顶端自吸式垂直区熔提纯装置与方法，该装置包括真空腔体，设于该真空腔体内的垂直区熔系统及上端的自吸系统；将装有4N/5N级铟原料的石英管安装至垂直区熔系统中，分别设置加热温度、冷阱温度，并通过导杆带动石英管上下移动，进行多道次垂直区熔，每循环进行n(n＝5‑10)道次垂直区熔提纯后，将石英管内顶端试样10％‑20％体积分数的铟金属熔化，通过自吸系统吸出。随后补充质量相同的铟原材料。完成3个循环共计3n次垂直区熔提纯过程后，取出并截取石英管两端各5％‑15％体积分数的试样，剩余中间区域试样进行重熔制样。本发明通过顶端自吸式垂直区熔装置与方法，能够实现6N级及以上不同等级纯度的超纯铟产品高效稳定生产。
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公开(公告)号：CN110257648B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910606312.X
申请日：2019-07-05
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种制备超高纯铟的装置及其制备方法，包括真空腔体，设于该真空腔体内的蒸馏系统及位于蒸馏系统右下方的垂直区熔系统；制备时先将金属铟原料置于石墨坩埚内，通过第一导杆下移冷凝板，进行真空蒸馏，随后待石墨坩埚内的金属铟熔体降温冷却后，上移冷凝板，旋转装置使坩埚倾转一定角度将金属铟熔体浇注于石英管内，通过三段独立式加热装置及冷却装置分别设置加热温度、冷却温度，并通过第二导杆带动石英管上下移动和自旋，进行垂直区熔，制得超高纯铟。本发明通过将真空蒸馏法与垂直区熔法有机结合，进而能够实现7N及7N以上的超高纯铟的高效稳定生产。
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公开(公告)号：CN110257648A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910606312.X
申请日：2019-07-05
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种制备超高纯铟的装置及其制备方法，包括真空腔体，设于该真空腔体内的蒸馏系统及位于蒸馏系统右下方的垂直区熔系统；制备时先将金属铟原料置于石墨坩埚内，通过第一导杆下移冷凝板，进行真空蒸馏，随后待石墨坩埚内的金属铟熔体降温冷却后，上移冷凝板，旋转装置使坩埚倾转一定角度将金属铟熔体浇注于石英管内，通过三段独立式加热装置及冷却装置分别设置加热温度、冷却温度，并通过第二导杆带动石英管上下移动和自旋，进行垂直区熔，制得超高纯铟。本发明通过将真空蒸馏法与垂直区熔法有机结合，进而能够实现7N及7N以上的超高纯铟的高效稳定生产。
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