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公开(公告)号:CN118932289A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202410900517.X
申请日:2024-07-05
Applicant: 五邑大学
IPC: C23C14/24 , H01L29/786 , H01L29/51 , C23C14/04 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物绝缘层薄膜及其制备方法和应用,属于薄膜晶体管(TFT)技术领域。本发明所述金属氧化物绝缘层薄膜的制备方法包括以下步骤:S1、将金属醇盐和溶剂混合得到前驱体溶液,静置析出晶体得到金属有机化合物晶体;S2、将金属有机化合物晶体研磨成粉末置于坩埚,在坩埚上方放置掩模版,将基板的导电表面朝向掩模板侧;S3、进行近场热蒸发操作,得到所述金属氧化物绝缘层薄膜。本发明通过简单的工艺,无需额外的化学合成,无需高温退火工艺,无需惰性气体氛围,便可直接在空气氛围中制备出低漏电流的金属氧化物绝缘薄膜,对制备高性能金属氧化物绝缘薄膜有重要意义。
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公开(公告)号:CN222886753U
公开(公告)日:2025-05-20
申请号:CN202421590343.3
申请日:2024-07-05
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本申请公开了一种镀膜装置,包括:蒸发箱体;坩埚,位于蒸发箱体的内腔,坩埚用于盛放镀膜材料;承载机构,设置在蒸发箱体的内腔,承载机构包括机械臂和载物块,机械臂的末端设置有第一驱动器,第一驱动器的驱动端与载物块的顶面连接,载物块的一侧设置有容纳槽,载物块的底面设置有与容纳槽连通的贯通孔,容纳槽用于放置基板,机械臂用于带动载物块移动以使载物块的底部与坩埚的开口之间的距离小于预设的距离阈值,且贯通孔位于坩埚的正上方,第一驱动器用于驱动载物块旋转以带动基板旋转,基板遮盖贯通孔;加热模块,位于蒸发箱体的内腔,加热模块用于加热坩埚。根据本申请提供的实施例,能够避免浪费镀膜材料以及提高成膜效果。
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