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公开(公告)号:CN114457364A
公开(公告)日:2022-05-10
申请号:CN202210019966.4
申请日:2022-01-10
Applicant: 五邑大学
IPC: C25B11/042 , C25B11/04 , C25B11/031 , C25B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23F1/44 , C23C14/24 , C23C14/16 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种纳米金属薄膜及其制备方法与应用,本发明的制备方法,包括以下步骤:在第一金属薄膜表面蒸镀第二金属;热处理后腐蚀处理,即得所述纳米金属薄膜;所述第一金属薄膜包括镍薄膜、钴薄膜、铜薄膜、银薄膜、金薄膜和镍铁合金薄膜中的至少一种。本发明利用高温退火和脱合金腐蚀的方法制备纳米结构的金属薄膜,制备过程简单,制备工艺要求低,产品结构稳定,过程绿色无污染。
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公开(公告)号:CN115424875A
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202211030993.8
申请日:2022-08-26
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了Cu负载纳米CuxO材料及其制备方法和应用。其中,Cu负载纳米CuxO材料的制备方法,包括步骤:将镓施加于Cu表面,反应形成铜镓合金层;对所述铜镓合金层进行脱合金,得到多孔Cu基材;对所述多孔Cu基材进行恒压电化学氧化,以得到纳米CuxO材料。本发明提供的Cu负载纳米CuxO材料的制备方法,操作简便,制备过程中无需使用毒性有机试剂,绿色环保。由此制备的Cu负载纳米CuxO材料,实现了较高的比电容和比电容保持率,同时具有环境友好和低成本的优点。
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公开(公告)号:CN112133892A
公开(公告)日:2020-12-25
申请号:CN202010795709.0
申请日:2020-08-10
Applicant: 五邑大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/136 , H01M10/054 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种硫掺杂ReSe2/MXene复合材料的制备方法,以MXene为主要基底,将合成的ReSe2负载在MXene上,将硫元素掺杂到ReSe2/MXene复合物中,经热处理反应制得硫掺杂ReSe2/MXene复合材料。所述硫掺杂ReSe2/MXene复合材料导电性佳,层间距增大,比表面积大。MXene特殊的层状结构有效减缓在循环充放电过程中由于负极材料的团聚或体积膨胀而带来的电学性能下降、结构塌陷等问题;ReSe2的负载有效提高了层间距,增大比表面积;进一步地,硫元素的掺杂使ReSe2/MXene复合材料暴露更多活性位点与空位,提高材料的储钾性能。MXene,ReSe2,硫原子之间以弥补各自的缺陷和不足,具有协同增效作用,最大程度地提高了复合材料的储钾性能,比容量、充放电稳定性、电子转移速率等性能。同时,制备工艺简单,性能可控。
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公开(公告)号:CN114457364B
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202210019966.4
申请日:2022-01-10
Applicant: 五邑大学
IPC: C25B11/042 , C25B11/04 , C25B11/031 , C25B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23F1/44 , C23C14/24 , C23C14/16 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种纳米金属薄膜及其制备方法与应用,本发明的制备方法,包括以下步骤:在第一金属薄膜表面蒸镀第二金属;热处理后腐蚀处理,即得所述纳米金属薄膜;所述第一金属薄膜包括镍薄膜、钴薄膜、铜薄膜、银薄膜、金薄膜和镍铁合金薄膜中的至少一种。本发明利用高温退火和脱合金腐蚀的方法制备纳米结构的金属薄膜,制备过程简单,制备工艺要求低,产品结构稳定,过程绿色无污染。
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