公开(公告)号：CN102202866B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN200980143653.2

申请日：2009-10-30

申请人： 亥姆霍兹盖斯特哈赫特材料研究中心和库斯特研究中心股份有限公司

发明人： 托马斯·威格尔 ,  安帝斯·里德宁 ,  卡罗拉·卢周 ,  弗兰克·科林 ,  萨米·马布里

IPC分类号： B29C61/06 ,  A61B17/00

CPC分类号： B29C61/0625 ,  A61B17/06166 ,  A61B2017/00871 ,  A61B2017/0619 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/249953

摘要： 本发明涉及一种具有至少有一个转换链段的制品，其中，该至少一个转换链段包括：a)一种形状记忆化合物，其包括至少一种热致形状可变的形状记忆聚合物和嵌入其中的颗粒，该颗粒适合于在交变电磁场中加热，其中形状记忆化合物具有传热系数hschalt；以及b)围绕该形状记忆化合物a)的隔离区，且该隔离区具有传热系数hiso；其中hiso＜hschalt。本发明还涉及一种制备这种制品的方法。

公开(公告)号：CN102202866A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143653.2

申请日：2009-10-30

申请人： 亥姆霍兹盖斯特哈赫特材料研究中心和库斯特研究中心股份有限公司

发明人： 托马斯·威格尔 ,  安帝斯·里德宁 ,  卡罗拉·卢周 ,  弗兰克·科林 ,  萨米·马布里

IPC分类号： B29C61/06 ,  A61B17/00

CPC分类号： B29C61/0625 ,  A61B17/06166 ,  A61B2017/00871 ,  A61B2017/0619 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/249953

摘要： 本发明涉及一种具有至少有一个转换链段的制品，其中，该至少一个转换链段包括：a)一种形状记忆化合物，其包括至少一种热致形状可变的形状记忆聚合物和嵌入其中的颗粒，该颗粒适合于在交变电磁场中加热，其中形状记忆化合物具有传热系数hschalt；以及b)围绕该形状记忆化合物a)的隔离区，且该隔离区具有传热系数hiso；其中hiso＜hschalt。本发明还涉及一种制备这种制品的方法。