公开(公告)号：CN101180174A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680017570.5

申请日：2006-05-19

Applicant: 亨斯迈先进材料(瑞士)有限公司

Inventor： H·亨宁森

IPC: B29C67/00

CPC classification number: B29C64/106 ,  B33Y30/00 ,  B33Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种方法和设备，其用于照射至少一种快速原型开发介质(RPM)，其中，所述照射由至少两束投射到所述快速原型开发介质(RPM)上的联立的独立调制光束(IMLB)来完成，且所述快速原型开发介质由具有至少两个不同波长内容(WLC1，WLC2)的光束(IMLB)来照射。

公开(公告)号：CN1832899A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN03826880.9

申请日：2003-06-06

Applicant: 亨斯迈先进材料(瑞士)有限公司

Inventor： J·T·拉夫恩基尔德 ,  H·亨宁森

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C3/008 ,  B81B2201/045 ,  B81C2203/0109 ,  G02B26/02

Abstract: 本发明涉及一种光学微机电结构(MEMS)，其包括：(至少一个)光学透射层(UTL)；(至少一个)中间层结构(IL)；(至少一个)器件层(DL)，所述中间层结构(IL)限定了在所述实质光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的一个或多个光路(OP)，所述中间结构层(IL)限定了所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离(d)。

公开(公告)号：CN101180174B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200680017570.5

申请日：2006-05-19

Applicant: 亨斯迈先进材料(瑞士)有限公司

Inventor： H·亨宁森

IPC: B29C67/00

CPC classification number: B29C64/106 ,  B33Y30/00 ,  B33Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种方法和设备，其用于照射至少一种快速原型开发介质(RPM)，其中，所述照射由至少两束投射到所述快速原型开发介质(RPM)上的联立的独立调制光束(IMLB)来完成，且所述快速原型开发介质由具有至少两个不同波长内容(WLC1，WLC2)的光束(IMLB)来照射。

公开(公告)号：CN1832899B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN03826880.9

申请日：2003-06-06

Applicant: 亨斯迈先进材料(瑞士)有限公司

Inventor： J·T·拉夫恩基尔德 ,  H·亨宁森

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C3/008 ,  B81B2201/045 ,  B81C2203/0109 ,  G02B26/02

Abstract: 本发明涉及一种光学微机电结构(MEMS)，其包括：(至少一个)光学透射层(UTL)；(至少一个)中间层结构(IL)；(至少一个)器件层(DL)，所述中间层结构(IL)限定了在所述实质光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的一个或多个光路(OP)，所述中间结构层(IL)限定了所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离(d)。