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公开(公告)号：CN112740551A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980062393.X
申请日：2019-09-24
申请人： 京瓷株式会社
IPC分类号： H03H9/25 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/312 , H01L41/337 , H03H3/08
摘要： 本公开的复合基板具备：压电基板，具有作为元件形成面的第1面和作为其背面的第2面；蓝宝石基板，具有与第2面对置地配置的第3面和作为其背面的第4面；和氧化铝层，具有与第2面对置的第5面和与第3面对置的第6面，并将第2面和第3面接合。第3面的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且0.5μm以下。第5面的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以下并且小于所述第3面的算术平均粗糙度Ra。
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公开(公告)号：CN111527447B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201880083773.7
申请日：2018-12-26
申请人： 京瓷株式会社
摘要： 本公开的色轮具备：透明的基板(2)，具备第1面(2a)、与该第1面(2a)对置的第2面(2b)、以及将第1面(2a)和第2面(2b)连接的外周面(2d)和内周面(2c)，并具有旋转中心(1c)；着色部(3)，被配置于基板(2)的第1面(2a)，将从光源照射的激励光变换成波长不同的变换光；以及散热部(4)，被配置于第1面(2a)或者第2面(2b)的至少任一个的激励光以及变换光的光路外的区域的、比着色部(3)更靠基板(2)的外周面(2d)或者内周面(2c)侧的位置，热传导率比基板(2)大。
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公开(公告)号：CN111527447A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201880083773.7
申请日：2018-12-26
申请人： 京瓷株式会社
摘要： 本公开的色轮具备：透明的基板(2)，具备第1面(2a)、与该第1面(2a)对置的第2面(2b)、以及将第1面(2a)和第2面(2b)连接的外周面(2d)和内周面(2c)，并具有旋转中心(1c)；着色部(3)，被配置于基板(2)的第1面(2a)，将从光源照射的激励光变换成波长不同的变换光；以及散热部(4)，被配置于第1面(2a)或者第2面(2b)的至少任一个的激励光以及变换光的光路外的区域的、比着色部(3)更靠基板(2)的外周面(2d)或者内周面(2c)侧的位置，热传导率比基板(2)大。
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公开(公告)号：CN102939662B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201180020477.0
申请日：2011-05-20
申请人： 京瓷株式会社
IPC分类号： H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种太阳能电池元件、具备该太阳能电池元件的太阳能电池模块、以及太阳能电池元件的制造方法。所述太阳能电池元件具备具有p型半导体区域的半导体基体，所述p型半导体区域在其表层部设有具有Si-O键的一个以上的表层内部区域，在该表层内部区域上设有钝化层。所述太阳能电池元件的制造方法包括：基板准备工序，准备具有p型半导体区域的半导体基体；表面处理工序，将所述p型半导体区域的表面暴露于使用含有氧的气体而形成的等离子体中，而在所述p型半导体区域的表层部形成具有Si-O键的表层内部区域；层形成工序，在所述表层内部区域上形成钝化层。
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公开(公告)号：CN102939662A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180020477.0
申请日：2011-05-20
申请人： 京瓷株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种太阳能电池元件、具备该太阳能电池元件的太阳能电池模块、以及太阳能电池元件的制造方法。所述太阳能电池元件具备具有p型半导体区域的半导体基体，所述p型半导体区域在其表层部设有具有Si-O键的一个以上的表层内部区域，在该表层内部区域上设有钝化层。所述太阳能电池元件的制造方法包括：基板准备工序，准备具有p型半导体区域的半导体基体；表面处理工序，将所述p型半导体区域的表面暴露于使用含有氧的气体而形成的等离子体中，而在所述p型半导体区域的表层部形成具有Si-O键的表层内部区域；层形成工序，在所述表层内部区域上形成钝化层。
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