公开(公告)号：CN1075826A

公开(公告)日：1993-09-01

申请号：CN92113754.0

申请日：1992-10-29

申请人： 伊万·D·科茨米克 ,  科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克 ,  扎哈·D·科瓦里尤克 ,  伊万·I·格里戈特切克 ,  艾尔维拉·G·克里冈 ,  博丹·P·巴马蒂尤克

发明人： 伊万·I·格里戈特切克 ,  科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克 ,  扎哈·D·科瓦里尤克 ,  伊万·D·科茨米克 ,  艾尔维拉·G·克里冈 ,  博丹·P·巴马蒂尤克

IPC分类号： H01M4/58 ,  H01M4/36 ,  H01M10/36

CPC分类号： H01M10/05 ,  H01M4/581

摘要： 一种能量存储器件，包括一个含有Ia族元素的阳极，一种可传送阳极粒子的电解液，一个含有公式为Gx Me y Ch z的层状结晶材料的阴极，其中G为从Ia族元素中选出的至少一种元素，且0.0≤x≤10；Me是从含有Bi和Sb的基团中选出，且y＝1，2；Ch从含有S，Se，Te的基团中选出，且z＝1，2，3。层状结晶材料的特征在于：它具有足够低的缺陷密度和适当的杂质分布，这使得足以在每莫尔材料中的范德瓦尔斯通道中，夹杂至少3个莫尔的锂，而不会使晶格产生重大形变。

公开(公告)号：CN1074781A

公开(公告)日：1993-07-28

申请号：CN92113775.3

申请日：1992-10-29

申请人： 伊万·I·格里戈特切克 ,  科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克 ,  扎哈·D·科瓦里尤克 ,  伊万·D·科茨米克 ,  博丹·P·巴马蒂尤克

发明人： 伊万·I·格里戈特切克 ,  科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克 ,  扎哈·D·科瓦里尤克 ,  伊万·D·科茨米克 ,  博丹·P·巴马蒂尤克

IPC分类号： H01G9/00

CPC分类号： H01G9/155 ,  H01G11/58 ,  H01M4/581 ,  Y02E60/13

摘要： 一种双电层电解电容器，包括每个都与公用的电解液相接触的两个电极，至少有一个电极包括具有范德瓦尔斯沟道的晶体材料，这些范德瓦尔斯沟道适宜于在沟道中接纳电解液，因而当在两个电极之间加上电压之后，在范德瓦尔斯沟道与电解液的界面上形成双电荷层。

公开(公告)号：CN1074249A

公开(公告)日：1993-07-14

申请号：CN92113391.X

申请日：1992-10-29

申请人： 维克托·I·特雷菲洛夫 ,  科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克 ,  扎哈·D·科瓦里尤克 ,  伊万·I·格里戈特切克 ,  伊万·D·科茨米克 ,  博丹·P·巴马蒂尤克

发明人： 维克托·I·特雷菲洛夫 ,  伊万·I·格里戈特切克 ,  科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克 ,  扎哈·D·科瓦里尤克 ,  伊万·D·科茨米克 ,  博丹·P·巴马蒂尤克

IPC分类号： C30B29/46

CPC分类号： C30B13/00 ,  C30B29/46

摘要： 本发明提供了一种晶体材料及其制造方法，该材料能大量荷载摩尔比大于3的客体，并显示吉布斯自由能函数与客体浓度无关。该晶体材料属MeyChx类，其中Me选自Bi和Sb，Ch选自Te、Se和S，Y为1或2，Z在1至3的范围内，故此该材料的缺陷密度低得足以允许在范德瓦耳斯沟槽内，每摩尔所述材料至少层夹3摩尔锂，而并无明显晶格畸变。本发明可提供一种客体荷载高达10摩尔/摩尔主体的层夹材料。