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公开(公告)号：CN103701031A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310531174.6
申请日：2010-01-07
申请人： 伊利诺斯大学理事会 , 量子电镀光学系统有限公司
CPC分类号： H01S5/06203 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/3412 , H01S5/34313
摘要： 本申请涉及发光和激光作用半导体装置和方法。本发明揭示一种半导体发光装置，其包含：异质结双极型发光晶体管，其具有位于发射极区与集极区之间的基极区；发射极电极、基极电极和集极电极，其分别用于使电信号与所述发射极区、基极区和集极区耦合；以及位于所述基极区中的量子大小区；所述基极区包含位于所述量子大小区的发射极侧上的第一基极子区，和位于所述量子大小区的集极侧上的第二基极子区；且所述第一和第二基极子区具有不对称带结构。还揭示一种从两端半导体结构产生光发射的方法。
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公开(公告)号：CN102273029A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004170.7
申请日：2010-01-07
申请人： 伊利诺斯大学理事会 , 量子电镀光学系统有限公司
CPC分类号： H01S5/06203 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/3412 , H01S5/34313
摘要： 本发明揭示一种半导体发光装置，其包含：异质结双极型发光晶体管，其具有位于发射极区与集极区之间的基极区；发射极电极、基极电极和集极电极，其分别用于使电信号与所述发射极区、基极区和集极区耦合；以及位于所述基极区中的量子大小区；所述基极区包含位于所述量子大小区的发射极侧上的第一基极子区，和位于所述量子大小区的集极侧上的第二基极子区；且所述第一和第二基极子区具有不对称带结构。还揭示一种从两端半导体结构产生光发射的方法，其包含以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包含位于第一导电类型的发射极区与同所述第一导电类型相反的第二导电类型的基极区之间的第一半导体结，和位于所述基极区与漏极区之间的第二半导体结；在所述基极区内提供展现量子大小效应的区；提供与所述发射极区耦合的发射极电极；提供与所述基极区和所述漏极区耦合的基极/漏极电极；以及相对于所述发射极电极和基极/漏极电极施加信号以从所述半导体结构获得光发射。
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公开(公告)号：CN102273029B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201080004170.7
申请日：2010-01-07
申请人： 伊利诺斯大学理事会 , 量子电镀光学系统有限公司
CPC分类号： H01S5/06203 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/3412 , H01S5/34313
摘要： 本发明揭示一种半导体发光装置，其包含：异质结双极型发光晶体管，其具有位于发射极区与集极区之间的基极区；发射极电极、基极电极和集极电极，其分别用于使电信号与所述发射极区、基极区和集极区耦合；以及位于所述基极区中的量子大小区；所述基极区包含位于所述量子大小区的发射极侧上的第一基极子区，和位于所述量子大小区的集极侧上的第二基极子区；且所述第一和第二基极子区具有不对称带结构。还揭示一种从两端半导体结构产生光发射的方法，其包含以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包含位于第一导电类型的发射极区与同所述第一导电类型相反的第二导电类型的基极区之间的第一半导体结，和位于所述基极区与漏极区之间的第二半导体结；在所述基极区内提供展现量子大小效应的区；提供与所述发射极区耦合的发射极电极；提供与所述基极区和所述漏极区耦合的基极/漏极电极；以及相对于所述发射极电极和基极/漏极电极施加信号以从所述半导体结构获得光发射。
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