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公开(公告)号:CN100483728C
公开(公告)日:2009-04-29
申请号:CN03103898.0
申请日:2003-02-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H05B33/0896 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0089 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/5278 , H01L2251/5361 , Y10S428/917 , Y10T428/26
Abstract: 公开了层叠的有机场致发光器件和制造这类器件的方法。所述器件包括阳极、阴极、配置在所述阳极和所述阴极之间的至少两个有机场致发光单元和配置在每个相邻有机场致发光单元之间的掺杂有机连接器,其中所述有机场致发光单元包括至少一个有机空穴传输层和一个有机电子传输层。所述掺杂有机连接器包括至少一个n-型掺杂有机层或者一个p-型掺杂有机层或者这些层的结合。
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公开(公告)号:CN1438828A
公开(公告)日:2003-08-27
申请号:CN03103898.0
申请日:2003-02-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H05B33/0896 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0089 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/5278 , H01L2251/5361 , Y10S428/917 , Y10T428/26
Abstract: 公开了层叠的有机场致发光器件和制造这类器件的方法。所述器件包括阳极、阴极、配置在所述阳极和所述阴极之间的至少两个有机场致发光单元和配置在每个相邻有机场致发光单元之间的掺杂有机连接器,其中所述有机场致发光单元包括至少一个有机空穴传输层和一个有机电子传输层。所述掺杂有机连接器包括至少一个n-型掺杂有机层或者一个p-型掺杂有机层或者这些层的结合。
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公开(公告)号:CN1347267A
公开(公告)日:2002-05-01
申请号:CN01140720.4
申请日:2001-09-21
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L27/3281 , H01L27/3244 , H01L27/3283 , H01L51/0011 , H01L51/5221 , H01L51/56
Abstract: 无源矩阵和有源矩阵有机场致发光(EL)器件可通过使用限定沉积区的单个掩膜并通过将相应的蒸汽流导向沉积区中的衬底上沉积有机EL介质层和阴极而被制成。电绝缘有机遮蔽结构被形成在阴极连接器上,以便在有机EL介质层与遮蔽结构的底部间隔开的一个位置处提供阴极与阴极连接器之间的的电接触。电接触是通过以垂直于衬底的方向引导有机EL材料蒸汽流到衬底上以及通过以一对角引导阴极材料蒸汽流到衬底上而实现的。
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公开(公告)号:CN100416849C
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN03101992.7
申请日:2003-01-30
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01L51/0013 , C23C14/048 , H01L27/3211 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0089 , H01L51/56
Abstract: 一种用于制造具有在显示器基底上分布的像素阵列的有机电发光显示器件的方法,包括提供被加热到要求温度的给体元件和显示器基底。然后使用辐射引致的热转移将有机材料从给体元件转移至显示器基底。
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公开(公告)号:CN1196378C
公开(公告)日:2005-04-06
申请号:CN01140720.4
申请日:2001-09-21
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L27/3281 , H01L27/3244 , H01L27/3283 , H01L51/0011 , H01L51/5221 , H01L51/56
Abstract: 无源矩阵和有源矩阵有机场致发光(EL)器件可通过使用限定沉积区的单个掩膜并通过将相应的蒸汽流导向沉积区中的衬底上沉积有机EL介质层和阴极而被制成。电绝缘有机遮蔽结构被形成在阴极连接器上,以便在有机EL介质层与遮蔽结构的底部间隔开的一个位置处提供阴极与阴极连接器之间的的电接触。电接触是通过以垂直于衬底的方向引导有机EL材料蒸汽流到衬底上以及通过以一对角引导阴极材料蒸汽流到衬底上而实现的。
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公开(公告)号:CN1436025A
公开(公告)日:2003-08-13
申请号:CN03101992.7
申请日:2003-01-30
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01L51/0013 , C23C14/048 , H01L27/3211 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0089 , H01L51/56
Abstract: 一种用于制造具有在显示器基底上分布的像素阵列的有机电发光显示器件的方法,包括提供被加热到要求温度的给体元件和显示器基底。然后使用辐射引致的热转移将有机材料从给体元件转移至显示器基底。
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